Фотоэдс поверхностная

Происхождение поверхностной фотоэдс. Поверхностной фотоэдс называют дополнительную разность потенциалов, которая возникает между поверхностью и объемом кристалла при освещении. Укажем три основные причины появления поверхностной фотоэдс. [c.32]

Фотоэдс поверхностных электронных состояний. Если при освещении кристалла изменяется заряд ПЭС (Qs), то в соответствии с теоремой Гаусса меняется также напряженность электрического поля вблизи поверхности и, следовательно, соотношение (1.32) уже не будет выполняться. При условии постоянства внешнего электрического поля сохраняется неизменным полный заряд полупроводника Qs + Qs - Отсюда с учетом (1.9) и (1.10) получаем уравнение [c.37]

Поверхностная фотоэдс при квазиравновесии в ОПЗ [c.32]

В соответствии с приведенными выше качественными соображениями знак фотоэдс ОПЗ противоположен знаку т.е. при освещении зоны разгибаются. При увеличении уровня инжекции фотоэдс ОПЗ стремится к предельному значению, равному начальному изгибу зон. На первый взгляд представляется привлекательной идея использования этого для определения поверхностного потенциала кристалла. Однако из (1.34) следует, что близкое к предельному значение фотоэдс ОПЗ будет достигнуто при уровнях инжекции по основным носителям заряда Ър 10 . Это возможно только при облучении кристалла мощным источником со всеми вытекающими отсюда осложнениями — разогревом, изменением объемных свойств и, возможно, деструкцией поверхности. [c.33]

Если измерение фотоэдс используется для определения поверхностного потенциала полупроводника (например, по насыщению Vs при увеличении уровня инжекции), то стараются по возможности избежать осложнений, связанных с перезарядкой ПЭС. Для этого на кристалл воздействуют световыми импульсами малой длительности (менее 10 -с), чтобы за время импульса не успевал произойти обмен зарядами между ПЭС и разрешенными зонами. В этих условиях уравнение (1.32) и все вытекающие из него выводы сохраняют силу. [c.37]

На рис. 1.8 показана зависимость эдс Дембера от уровня инжекции для / -кремния X = 10, 6 = 2,9). При Бр < 1 величина ьо меньше кТ/д и ее вкладом в полную поверхностную фотоэдс в режимах истощения и сильной инверсии можно пренебречь. Однако при более высоких уровнях инжекции ъд может быть сопоставимой с В частности, для материалов р-типа знаки эдс Дембера и фотоэдс ОПЗ в режимах обеднения и инверсии противоположны (при [c.36]

Рис. 1.8. Зависимости от уровня инжекции по основным носителям эдс Дембера (пунктирная линия, правая шкала) и результирующей поверхностной фотоэдс (сплошные линии, левая шкала) для р-кремния (X = 10 ). Параметр кривых — исходный изгиб зон

При необходимости вклад эдс Дембера в величину поверхностной фотоэдс можно существенно уменьшить, если проводить измерения на тонких кристаллах. При d Ldjf ъ соотношении (1.40) 0 = Оо и демберовская разность потенциалов пренебрежимо мала. [c.37]

Подчеркнем, что фотоэдс ПЭС невозможно отделить от фотоэдс ОПЗ. Как следует из уравнения (1.42), задача об этих составляющих поверхностной фотоэдс является самосогласованной. В этом состоит кардинальное отличие фотоэдс ОПЗ и ПЭС от демберовского потенциала. [c.37]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...