Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

[<< Стр.]    [Стр. >>]

1.5.4.	Фотоэдс поверхностных электронных состояний. Если при освещении кристалла изменяется заряд ПЭС (Qs), то в соответствии с теоремой Гаусса меняется также напряженность электрического поля вблизи поверхности и, следовательно, соотношение (1.32) уже не будет выполняться. При условии постоянства внешнего электрического поля сохраняется неизменным полный заряд полупроводника Qs + Qsc- Отсюда с учетом (1.9) и (1.10) получаем уравнение

[<< Стр.]    [Стр. >>]

ПОИСК



1.5.4. Фотоэдс поверхностных электронных состояний. Если при освещении кристалла изменяется заряд ПЭС (Qs), то в соответствии с теоремой Гаусса меняется также напряженность электрического поля вблизи поверхности и, следовательно, соотношение (1.32) уже не будет выполняться. При условии постоянства внешнего электрического поля сохраняется неизменным полный заряд полупроводника Qs + Qsc- Отсюда с учетом (1.9) и (1.10) получаем уравнение

[Выходные данные]

© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте