МОДЕЛИРОВАНИЕ - МОЩНОСТЬ объемные

Технология микроэлектроники и системы автоматизированного нроектирования (САПР). Технол, ограничения в М. определяются возможностями планарной технологии — послойного синтеза структуры твердотельного устройства с помощью многократно повторяющихся (до 10—16 раз с развитием М, это число возрастает) групп операций, причём каждая группа формирует на поверхности подложки двумерный рисунок и преобразует его в объёмную внутр. геометрию ИС, а погрешность совмещения каждого последующего рисунка с предыдущими 0. При проектировании конечная структура представляется в виде совокупности плоских картин (напр., в виде шаблонов). Это осуществляется с помощью САПР. Спец, компьютерные программы САПР основаны на функциональном и электрич. моделировании ИС и содержат библиотеки стандартных элементов , из к-рых формируется ИС, оптимизируются геометрия её внутр. связей, проверка её устойчивости к помехам и т, д. Наиб, совершенные САПР обеспечивают также оптимизацию внутр. структуры новых поколений ИС. САПР новых поколений ИС основаны на наиб, мощных ЭВМ предыдущих поколений. Принцип послойного синтеза определяет границы М., в частности степень связности рисунка ИС при данном N. Системные ограничения планарных структур (быстродействие и мощность, степень связности и степень интеграции и т. д.) связаны предельными соотношениями. Теоретич, предел N 10 для ИС на целой полуцроводниковой пластине с диам. 200—250 мм. [c.153]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...