Индуцированные поверхностные состояния

Гримли [3] и Коутецкий [4] независимо обнаружили, что, даже если нет поверхностных состояний для свободной поверхности, локализованное состояние может быть индуцировано хемосорбцией постороннего водородоподобного атома ). Предположим, что атом адсорбирован на (О, О, 0)-атоме решетки в положении (О, О, —/а), где fa — расстояние между адсорбированным атомом и (О, О, 0)-атомом кристалла, причем f не обязательно целое. Полагаем [c.19]

На границе раздела были идентифицированы по крайней мере три различных вида ловушек. Первый возникает в результате самого процесса окисления и, как предполагается, представляет собой структурный дефект на границе раздела Si02 - Si. Второй вид ловушек на границе раздела индуцируется различными ионизирующими излучениями, тогда как третий возникает из-за наличия металлических примесей на границе раздела Si02 — Si. Все три вида ловушек обозначаются символом (или если речь идет о соответствующей им плотности состояний). Одна из разновидностей ловушек несомненно связана с фиксированными в окисле зарядами, так как и плотность зарядов и плотность ловушек одинаково зависят от ориентации кремния (уменьшаются в последовательности < 111), < 110), (100)) и от температуры окисления. Вследствие этого предполагается, что Л -и имеют одинаковое происхождение с той лишь разницей, что ловушки расположены настолько близко к границе SiOj - Si, что имеют возможность обмениваться электрическими зарядами с кремнием. Поэтому ловушки и могут перезаряжаться при вариациях поверхностного потенциала. Предполагается также, что ловушки, имеющие энергетические уровни, лежащие в верхней [c.66]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...