Теория обратного и порогового напряжений

ТЕОРИЯ ОБРАТНОГО И ПОРОГОВОГО НАПРЯЖЕНИЙ [c.162]

Генерация потенциала действия в рамках М. т. в. объясняется резким увеличением проницае.мости мембраны для Na+. Из ф-лы (2) легко видеть, что увеличение может привести к падению ЛУ до нуля и к изменению знака ДУ при s Ркь С1 - Опыты с радиоактивными изотопами Na показали достаточно большое изменение Р а+ возбуждении. Однако оказалось, что также сильно увеличивается и Pg +, поэтому приходится думать, что возрастание проницаемости мембраны для Na и для происходит последовательно сначала увеличивается Pi ja+ и мембранный потенциал меняется на обратный, затем Pjf и восстанавливается иотенциал покоя. Согласно теории Ходжкина [4J, Рк+ и PiN(a+ зависят от потенциала на мембране ДУ. При его уменьшении Р а+ возрастают, причем Р ан-возраг.тает быстрее. Пороговое напряжение, при к-ром начинается генерация потенциала действия, соответствует равенству потока Na+ внутрь и К+ наружу. Дальнейшее уменьшение А У приводит к самоускоряюще.чуся процессу, протекающему по схеме [c.179]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...