Изменение спектров поглощения под действием рентгеновых и т-лучей

С представлениями о комплексной природе центров люминесценции не согласуются и другие полученные за последние годы весьма существенные данные. Работами автора и других исследователей, о которых речь будет ниже, бесспорно доказано, что изменения в спектрах поглощения и люминесценции кристаллофосфоров, возникающие под действием рентгеновых лучей, обусловлены захватом ионами активирующей примеси электронов и превращением ионных центров активатора в атомарные центры. Между тем совершенно оч( видно, что отрицательные комплексы не могут играть роли электронных центров захвата. [c.154]

Особый интерес для рассматриваемой проблемы представляют исследования спектров люминесценции и их изменение, вызываемое действием на фосфор рентгеновых лучей. Приведенные выше данные показывают, что исследование указанных изменений открывает в известной мере возможность макроскопического изучения некоторых свойств отдельных центров свечения. Полученные данные о поглощении могут быть существенно дополнены изучением спектров свечения щелочно-галоидных фосфоров и тех изменений, которые могут возникнуть в спектрах люминесценции под действием рентгеновых лучей, термической обработки фосфора, аддитивного окрашивания и других аналогичных факторов, вызывающих те или иные изменения в свойствах отдельных центров свечения. [c.180]

Описанные выше изменения в спектре поглощения, возникающие под действием рентгеновых лучей, обратимы. После прогрева рентгенизованного фосфора коротковолновая полоса опять расщепляется на три максимума, интенсивность поглощения в коротковолновой группе возрастает и восстанавливает прежний общий вид кривой нерентгенизованного фосфора. [c.199]

Чтобы получить представление о процессах, которые приводя к столь резким изменениям в спектрах поглощения, возникающим под действием рентгеновых лучей, обратимся к рис. 91, на кото ром приведена дифференциальная кривая, представляющая разности между плотностями поглощения для рентгенизованного и нерентгенизованного фосфора КВг — Sn. [c.199]

На рис. 92 показано, какие изменения возникают в спектре поглощения КВг—In под действием рентгеновых лучей (кривая б) и иоследующего обесцвечивания кристалла светом, который по частоте соответствует F-полосе (кривая в). Для сравнения на указанном рис. приведена также кривая поглощения того же кристалла до его облучения рентгеновыми лучами (кривая а). [c.202]

Предположение о том, что нарушения кристаллической решетки, создаваемые активирующей примесью, должны играть существенную роль в образовании электронных уровней захвата, в самой общей форме высказывалос ранее рядом авторов [319—3211. Однако только проведенные в последние годы комплексные исследования изменений, возникающих в спектрах поглощения и люминесценции щелочно-галоидных кристаллофосфоров под действием рентгеновых лучей и при аддитивном окрашивании, изучение их термического высвечивания и других оптических и термических характеристик центров свечения и центров захвата приводят к определенным представлениям о механизме явлений, связанных с переходом активирующей примеси из ионного состояния в атомарное. Полученные данные позволяют также высказать обоснованные предположения о структуре активаторных центров свечения и активаторных центров захвата. [c.226]

Под действием рентгеновых и у-лучей спектры поглощения щелочно-галоидных фосфоров испытывают сильные изменения Кроме известных полос в видимой области, обусловленных обыч ными центрами окраски, возникает ряд новых полос, преимущест венно в ультрафиолетовой области, обусловленных активаторны ми центрами, но видоизмененными действием жесткого излучения [c.166]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...