Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Закономерности естественного отбора при росте кристаллов

Использование представлений о естественном отборе при росте боль ших совокупностей кристаллов позволяет в весьма наглядной форме проанализировать наиболее существенные закономерности их роста. И не только проанализировать, но и указать, как направить их в нужную  [c.9]

Использование представлений об естественном и искусственном отборе позволяет подойти к проблеме роста кристаллов с привычной точки зрения, с заимствованием представления, известного со школьных лет. Такой подход является феноменологическим (описательным) и не может претендовать на установление количественных закономерностей. Его результатом являются качественные закономерности, которые в состоянии лишь ответить на вопрос больше-меньше .  [c.10]


Итак, при росте совокупности кристаллов из молекулярных пучков в результате естественного отбора образуются столбчатые кристаллы, направление роста которых совпадает с направлением молекулярного пучка. В таких совокупностях возможно развитие текстуры, причем тип текстуры может быть оценен априори. Такой вывод сделали, используя скорость роста кристаллов и стремление системы к наименьшей свободной энергии как факторы отбора. Подложка рассматривалась только как носитель совокупности кристаллов. Ни разу не предполагалось, что она может оказать какое-либо воздействие на закономерность развития совокупности кристаллов естественно, что и свойства подложки никакой роли не играли. В связи с этим установленные закономерности в какой-то мере ограничены, так как хорошо известно, что роль подложки при росте совокупностей кристаллов огромна. Однако полученные на этой стадии анализа результаты имеют принципиальное значение.  [c.25]

Приведенные микроструктуры покрытий являются убедительным свидетельством искусственности п шемов получения покрьпий. В основе их заложены закономерности естественного отбора, использование которых сводит проблему создания текстурированных покрытий к достаточно тривиальной технической задаче. В этом, пожалуй, заключена наибольшая практическая значимость представлений об естественном и искусственном отборе при росте совокупностей кристаллов. Использование этих представлений позволяет избавиться от традиционного интуитивного поиска или, как его иначе называют, метода проб и о11шбок.  [c.34]

В биологии известны только три фактора эволюции среда, наследственность и отбор. Причинами же эволюции являются борьба за существование и естественный отбор [45, с. 27, 44]. Для переноса эволюционных представлений на процессы и закономерности роста совокупностей кристаллов необходимо в первую очередь проанализировать, действуют ли указанные факторы эволюции в растущей совокупности кристаллов. Представляется вполне естественным, что среда и отбор как факторы эволюции должны действовать и в рассматриваемом случае. Что же касается наследственности, то в этом смысле, как это понимается в биологии, она не может использоваться применительно к кристаллам. При росте кристаллов не происходит передачи признаков из одного поколения в другое. Каждое следующее поколение совокупности кристаллов (вновь образуемая совокупность) приобретает их заново. Безусловно, т кие признаки, как, например, кристаллическая структура, параметр решетки и т.п., сохраняются в разных совокупностях. Однако они не передаются, а именно сохраняются как признак не совокупности, а материала. В результате развитие совокупносга кристаллов происходит в условиях отсутствия наследственности как фактора эволюции. Тем не менее в литературе часто употребляется понятие наследственного роста при этом понимается наследование кристаллом или совокупностью кристаллов кристаллографической ориентации материала подложки, т.е. авто- или гетероэпитаксия. В этом случае наследуется признак подложки, который не может быть отнесен к категории наследственных.  [c.15]


Естественно, что и закономерности отбора на разных стадиях роста могут существенно изменяться. Поэтому при анализе развития совокупности кристаллов необходимо совершенно четко представлять себе, какая стадия анализируется и какие законы Шравляют развитием на этой стадии.  [c.13]


Смотреть главы в:

Дефекты покрытий  -> Закономерности естественного отбора при росте кристаллов



ПОИСК



Естественный отбор

Оси естественные

Отбор

Рост кристаллита

Рост кристаллов

Рост пор



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте