Материалы для тонкопленочных резисторов

Наиболее подходящая толщина тонких резистивных пленок от 100 до 2000 А. Задавшись толщиной пленки в этих пределах, подбирают материал, обеспечивающий необходимую величину сопротивления. При этом следует учитывать, что выбирать материалы с высоким сопротивлением на квадрат не всегда выгодно, так как при извлечении из вакуумной камеры в результате окисления на воздухе тонкие пленки иногда изменяют свое сопротивление на 50% Для тонкопленочных резисторов лучше всего выбирать [c.687]

Так как ток в таком объемном полупроводниковом резисторе будет течь по всему объему материала, то сопротивление таких резисторов будет подвержено меньшему влиянию внешних условий, чем сопротивление тонкопленочных резисторов. Температурный коэффициент в зависимости от концентрации примесей может быть различным, однако он, как правило, велик и имеет положительный знак. Сопротивление объемных полупроводниковых резисторов ограничивается только размерами микросхемы и практически может доходить до 40 кОм. Резисторы, выполненные в объеме полупроводниковой пластины, применяются редко. [c.699]

Постоянный тонкопленочный резистор ИМС представляет собой нанесенный через специальную маску на изоляционную подложку 4 (рис. 65) тонкий слой напыляемого материала в виде прямоугольной полоски или формы типа меандр . Снаружи резисторы и другие тонкопленочные элементы, кроме коммутационных площадок, покрывают распыляемым защитным слоем моноокиси кремния. Толсто- [c.117]

Лазерную резку материалов осуществляют как в импульсном, так и в непрерывном режиме. При резке в импульсном режиме непрерывный рез получается в результате наложения следующих друг за другом отверстий. Наиболее широкое применение получила резка тонкопленочных пассивных элементов интегральных схем, например, с целью точной подгонки значений их сопротивления или емкости. Для этого применяют импульсные лазеры на алюмо-иттриевом гранате с модуляцией дробности, лазеры на углекислом газе. Импульсный характер обработки обеспечивает минимальную глубину прогрева материала и исключает повреждение подложки, на которую нанесена пленка. Лазерные установки различных типов позволяют вести обработку при следующих режимах энергия излучения 0,1. .. 1 МДж, длительность импульса 0,01. .. 100 мкс, плотность потока излучения до 100 мВт/см, частота повторения импульсов 100. .. 5000 импульсов в 1 G. В сочетании с автоматическими управляющими системами лазерные установки для подгонки резисторов обеспечивают производительность более 5 тысяч операций за 1 ч. Импульсные лазеры на алюмо-иттриевом гранате применяют также [c.299]

Экспериментальная реализация этой концепции схематично показана на рис. 1.17 и 1.18 [8, 21]. Тонкопленочное сопротивление нанесено на край переключающей ячейки и соединено с тонкопленочной металлической адресной шиной. При пропускании токового импульса выделяется омическое тепло, и материал снизу под резистором нагревается. Магнитное поле для переключения создается второй металлической шиной, располагаемой перпендикулярно первой. [c.39]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...