ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Материалы для тонкопленочных резисторов из "Материалы в приборостроении и автоматике " Электролитическое осаждение осуществляется в специальных ваннах, заполненных электролитом и содержащих анод и катод (подложка). В качестве катода используют проводящие материалы, анод выполняют из инертного по отношению к электролиту материала или из материала, из которого осаждается пленка. [c.433] Для формирования окисных пленок металлов используют также анодное окисление, при котором химически активные вещества (металлы) взаимодействуют с ионами кислорода, выделяющегося у анода при электролизе. При этом металл анода не растворяется как в случае электроосаждения. Механизм роста пленки заключается в переносе ионов кислорода через растущий окисный слой под действием электрического поля, возникающего в пленке при приложении к электродам внешнего поля. [c.433] Тонкопленочные резисторы (ТПР) являются наиболее распространенными тонкопленочными элементами гибридных интегральных схем, формированию которых уделяется наибольшее внимание при производстве гибридных схем. Основными параметрами ТПР, определяющими выбор их конструкции и материалов для их изготовления, являются величина сопротивления, номинальная мощность рассеяния, временная и температурная стабильность, слабая зависимость удельного сопротивления от различных факторов технологического процесса (Армирования. [c.433] Из выражении для сопротивления тонкопленочного резистора видно, что теоретически можно добиться бесконечно большого сопротивления даже в пленках благородных металлов, уменьшая их толщину. На практике добиться высокого поверхностного сопротивления пленок высокопроводя-щих материалов (Ап, Си, Ag) не удается в связи с физическими законами образования пленок. [c.433] Резистивные пленки толщиной менее 0,01 мкм имеют нестабильные характеристики из-за большого количества пор и являются нетехнологичными из-за трудностей в контрольных операциях. [c.434] Средняя толщина пленок с островковой структурой зависит от температуры подложки, температуры испарителя, скорости осаждения, поверхностных энергий пленки и подложки. Эта толщина составляет от нескольких десятков до нескольких сотен нанометров для тугоплавких металлов W Мо, Re, Та, для Ап она составляет несколько десятков нанометров. [c.434] Проводимость островковой пленки определяется размером островков и средним расстоянием между ними, проводимость основного металла при этом не существенна. Транспорт электронов в островковых пленках осуществляется посредством эмиссии Шот-ки и туннелированием через зазор между островками и диэлектрическую подложку. Для большинства островковых пленок ТКС имеет отрицательные значения. Сопротивление таких пленок очень сильно зависит от изменения расстояния между островками и, следовательно, от коэффициента линейного расширения подложки. [c.434] Смыкание островковой структуры приводит к монотонному уменьшению поверхностного сопротивления, увеличивается вклад металлической проводимости в общую проводимость пленки. ТКС переходит из области отрицательных значений в область положительных значений. [c.434] Проводимость и ТКС сплошных пленок являются характерными для массивных проводников, однако они в несколько раз меньше из-за влияния границ и дефектов. [c.434] Наиболее приемлемыми с технологических и надежностных точек зрения являются тонкопленочные резисторы с толщиной, превышающей 100 нм. [c.434] Помимо уменьшения толщины пленки повышение удельного сопротивления можно добиться путем использования ряда явлений в чистых металлах, сплавах и композициях. [c.434] Вернуться к основной статье