Диффузия из бесконечно тонкого слоя

Диффузия из бесконечно тонкого слоя (из ограниченного источника) [c.294]

Диффузия из бесконечно тонкого слоя соответствует ситуации, когда небольшое количество легирующего вещества осаждается на поверхности легируемого материала. В этом случае все диффундирующие в течение некоторого времени / с поверхности в объем атомы полностью переходят в кристалл, причем распределяются моноатомно. В любой момент времени полное количество диффундирующих атомов остается постоянным. [c.294]

Рис. 8.5. Диффузия из бесконечно тонкого слоя в полуограниченное тело.

По мере удаления от поверхности кристалла (источника) концентрация диффундирующих атомов С падает, стремясь к О (рис. 8.5). Максимальное значение С достигается при х = 0. Со временем начальное распределение постепенно расплывается, величина максимума кривой распределения понижается пропорционально корню квадратному из времени. Таким образом, для диффузии из бесконечно тонкого слоя характерно уменьщенне со временем количества диффундирующих атомов у поверхности за счет проникновения их в глубь кристалла. [c.295]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...