Фликкер-шум

Фликкер - шум был зафиксирован при изменении флуктуаций напряжения на электропроводящих образцах разной природы (полупроводниковые пленки, металлы, угольные резисторы в термодинамически равновесной системе (термостат). [c.45]

Тимашев С.Ф. Фликкер - шум как индикатор стрелы времени // В сб. Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах.- [c.75]

Макуха В. И., Романов А. Д., Тиишн Е. А. Фликкер-шум автоэлектрон-ного тока катода из графита // Физические процессы в приборах электронной техники. — М. МФТИ, 1980. — С. 19—20. [c.282]

Бахтизин P. 3., ГоцС.С., Мухтаров A. С. Пространственно-временные корреляционные функции фликкер-шума полевой эмиссии из германия и кремния // Тезисы докладов 5 Всесоюзного симпозиума по ненакаливаемым катодам. — Томск, 1985. — С. 92—94. [c.283]

Ш у м ы в У. э. к.— это флуктуац. помехи, появляющиеся в результате хаотического теплового движения свободных носителей заряда (тепловые шумы), дробового шума, фликкер-шума, др. физ. явлений. Шумовые свойства У, э. к. характеризуются коэф. шума, определяемым отношением полной мощности выходных шумов к её Ha tH, создающейся за счёт шумов от источника колебаний Ш = / ш..и,./А ,Л .н.. где Ли..ы,. —мощности шумов [c.239]

Совершеппо иная попытка объяснения природы фликкер-шума на Основе динамического хаоса предпринята в работе [94]. [c.271]

В реальных электронных и ионных приборах наблюдаются также медленные изменения эмиссионной способности катода (по времени и но поверхности катода), обуславливающие Ф., спектр к-рых имеет вид 1// и лежит в области низких частот обычно < 100 гц (ф л и к к е р - га у м, или шум мерцания катода). Фликкер-эффект связан с испарением атомов вещества катода, диффузией их из глубинных слоев к поверхности катода, бомбардировкой катода положит, ионами, структурными изменениями, Ф. слоев посторонних атомов на поверхности катода и др. Т. о., дополнит, импульсы тока должны зависеть от длительности существовапия таких неоднородностей, что и определяет иной (по сравнению с дробовым шумом) частотный снектр фликкер-шума. Наличие пространств, заряда частично подавляет флпк-кер-шум. [c.322]

Шумы в полупроводниках обычно также разделяют на тепловой, дробовой и фликкер-шум. Однако, учитывая своеобразие процессов, протекающих в полупроводниках, различают а) Г е п е -р а ц и о п н о - р е к о м б и н а ц и о н II ы й шум, создаваемый спонтанными Ф. скоростей генерации, рекомбинации, улавливания и т. д. носителей заряда (электронов и дырок), что приводит к Ф. плотности свободных носителей. Для полупроводниковых приборов, содержащих р—п-переходы (полупроводниковый диод, полупроводниковый триод), этот шум значительно ближе к дробовому, чем для полупроводниковых льатериалов (термисторы, фотосопротивления). [c.322]

Т е X II ц ч о с к и е Ф. обязаны споим происхождением ряду медленных процессов изменению темп-]) . катодов электронных ламн и с0П])0тивлений проводников нестабильности утечек тока в схемах вибрациям и толчкам, приводящим к и шенепию электрич. на1)аметров нестабильности нсточинкоп питания (т. к. снектр этих Ф. лежит и области низких частот, то ино да к техиич. Ф. относят и фликкер-шум). [c.323]

Регистрация оптических сигналов с помощью ФЭУ может также производиться методом измерения среднего значения анодного тока. Уровень шума в этом случае определяется среднеквадратическим значением флуктуаций этого тока, термошумом фотокатода, а также вкладом таких компонент шума, как токи утечки, шумы, обусловленные ионной и оптической обратной связью, газоразрядными процессами, фликкер-шумом, автоэлектронной эмиссией и т. д. На точность измерений сказывается и влияние изменения коэффициентов фотоэмиссии и вторичной эмиссии диодов, обусловленные как процессами старения, так и влиянием регистрируемого сигнала. Флуктуации этих составляющих темпового тока не поддаются расчету, так как инициирующие их процессы в значительной мере определяются конструкцией и технологией [c.53]

Спектральная плотность фликкер-шумов в твердофазных системах возрастает при уменьшении характеристического размера объекта. Таким образом, и в этом случае проявляется размерный эффект. Следует ожидать значительного развития флуктуаций в наноструктурах с их офомными межфазными неоднородными фаницами. [c.275]

Фликкер-эффект. На частотах ниже нескольких сотен герц шум диода начинает увеличиваться с понижением частоты. Это приращение, которое называется фликкер-шумом, пропорционально квадрату тока, тогда как дробовой шум пропорционален току в первой степени. Следовательно, с помощью графика выходной мощности шума диода как функции его тока легко проверить, источником какого шума является шумовой диод дробового или фликкер-шума, и таким образом определить нижнюю границу его частотного диапазона. [c.61]

До сих пор предполагалось, что для шумовых измерений используются шумовые диоды. Однако на низких частотах, где заметную роль приобретает фликкер-шум, или в случаях, когда эквивалентный ток насыщения диода для исследуемого прибора велик по сравнению с максимальным анодным током шумового диода (20—30 ма), в качестве эталонов следует применять сигнал-генераторы. Существуют два способа построения схемы, удобные для измерения шумовых сопротивлений (рис. 4.8,а) и для измерения эквивалентных токов насыщенного диода (рис. 4.8,6). [c.74]

А. Фликкер-шум в вакуумных лампах [c.132]

Долгое время считалось, что фликкер-шум вызывается флуктуациями тока эмиссии, которые в свою очередь обусловлены флуктуациями работы выхода. Но теперь известно, главным образом благодаря работам Р. Р. Джонсона и др. [86], что этот процесс несколько сложнее. Установлено, что его причиной являются флуктуации появления атомов бария или отравляющих воздействий на поверхности зерен, сопровождаемые миграцией доноров сквозь эффективную эмиттирующую часть зерен. [c.132]

Измерения, проведенные на диодах с подвижными анодами, показали, что эквивалентное сопротивление фликкер-шума Rnf убывает с уменьшением расстояния между анодом и катодом. Поэтому следует ожидать, что то же самое верно для триодов. Поскольку при данном токе анода 1а крутизна лампы я возрастает с уменьшением расстояния с1сд между сеткой и катодом, то при прочих равных условиях лампы с большей крутизной должны иметь меньшее эквивалентное сонротив- [c.132]

Конечно, существует очень много других факторов, которые определяют величину фликкер-шума данной лампы. По этой причине важно подбирать малошумя-щий тип лампы и, в пределах данного типа, малошумящие экземпляры. Но в общем можно рекомендовать поиск среди ламп с высокой крутизной. [c.133]

Б. Фликкер-шум в полупроводниковых нитях [c.133]

Теория фликкер-шума в полупроводниковых нитях была развита Мак-Уэртером [87], а ее упрощенное изложение было дано Ван дер Зилом [24]. Мы будем следовать последней работе. [c.133]

В теории Мак-Уэртера фликкер-шум связывается с поверхностными состояниями полупроводниковых элементов. Существуют два типа таких состояний быстрые и медленные . Первые определяют частую рекомбинацию дырок и электронов и, так как они характеризуются малой постоянной времени, предполагается, что они расположены на поверхности раздела полупроводника и оксидного слоя, который всегда имеется. Медленные состояния расположены в самом оксйДном слое, и их энергия и плотность сильно зависят от предыстории поверхности и от окружающих газов. [c.133]

Поскольку Т1 и Хг не зависят от температуры, если х определяется туннельным механизмом, Si(/) изменяется как 1// в диапазоне частот, достаточно широком, чтобы соответствовать наблюдаемой области фликкер-шума. [c.136]

В. Фликкер-шум в плоскостных диодах, МОП-транзисторах и биполярных транзисторах [c.136]

Равенство (6.50) не является вполне точным. Более строгий анализ этой модели дает несколько иную зависимость Si(f) от S [89]. Более того, этот результат неприменим непосредственно к кремниевым диодам, поскольку в них основная доля фликкер-шума обусловлена флуктуациями рекомбинационного тока в области пространственного заряда. Ван дер Зилом дано детальное обсуждение модели поверхностной рекомбинации, которая может объяснить эти и другие экспериментальные данные [89]. [c.139]

Эксперименты Пламба, Шенетта [90] и других авторов показывают, что фликкер-шум в транзисторах может быть представлен источником тока л, включенным параллельно эмиттерному переходу. Теоретически необходимо также ввести частично коррелированный источник тока /2, включенный параллельно коллекторному [c.139]

Рис. 6.11. Измерительная схема для определения положения источника фликкер-шума в эквивалентной схеме транзистора.

В [133] показано, фликкер-шум в биполярных транзисторах обусловлен рекомбинацией носителей заряда в области эмиттерного перехода и /экв пропорционален квадрату рекомбинационной составляющей эмиттерного тока. Прим. ред. [c.142]

Рис. 6.16. Эквивалентная схема транзистора, показывающая расположение источников дробового шума, фликкер-шума и взрывного

Приемники допплеровских РЛС обычно начинаются со смесителя, и [иногда прим. ред.)] используется нулевая промежуточная частота. Тогда желательно избежать попадания частот биений в шумовой фон приемника. По этой причине необходимо требовать, чтобы смесительный диод имел очень низкий уровень фликкер-шума. Хотя точечные диоды были значительно улучшены в части, связанной с шумом типа Ц, представляется, что хорошо сконструированные диоды с барьером Шоттки в этом отношении предпочтительнее. [c.186]

Фликкер-шум (шум мерцаний). Этот вид шума возникает из-за движения потока заряженных частиц в неоднородной среде. Пример такого шума — шум, возникающий в композитных углеродистых резисторах. Эквивалентная э.д.с. для этого вида шума приблизительно обратно пропорциональна частоте. [c.52]

В математических моделях компонентов, принятых в программе МС7, так же как и в программе PSpi e, учитываются тепловые, дробовые и низкочастотные фликкер-шумы (см. подробности в [8]). [c.151]

KF Коэффициент фликкер-шума 0 — [c.200]

AF Показатель степени в формуле фликкер-шума 1 — [c.200]

Коэффициент, определяющий спектральную плотность фликкер-шума [c.205]

Показатель степени, определяющий зависимость спектральной плотности фликкер-шума от тока через переход [c.205]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...