Давыдовское расщепление магнитное

Магнитное давыдовское расщепление 548 [c.638]

В этом случае энергии двух экситонных полос определяются выражением (62.33). Общие формулы для величин давыдовских расщеплений для других ориентаций магнитного поля рассмотрены в работе Петрова и Харкянена [420]. [c.549]

Магнитное давыдовское расщепление в кристаллах RbMnFa при температуре 4 и 20°К впервые наблюдалось Еременко с сотрудниками [432, 433]. Исследовалось расщепление линии 25 144 сж" в магнитном поле, направленном вдоль оси [111], с напряженностью, изменяющейся в интервале 0 — 300 кэ. Было показано, что магнитное давыдовское расщепление полностью индуцируется внешним магнитным полем. Без внешнего магнитного поля 0 2 — — 0 1 = я, поэтому = 12(Л,/) = 0. В исследованном в работах [432, 433] интервале полей расщепление увеличивается пропорционально квадрату напряженности поля, так что [c.549]

Электродипольное экситонное поглощение света наблюдается в кристалле СГ.2О3. Именно в этом кристалле Ван-дер-Циль [429] наблюдал давыдовское расщепление, обусловленное обменом возбуждения между трансляционно неэквивалентными парамагнитными ионами Сг +. Кристалл СГ2О3 имеет структуру корунда с четырьмя ионами Сг +, имеющими спин 3/2. Ниже 308 °К спины имеют антиферромагнитную структуру с осью коллинеарности вдоль оси третьего порядка (ось Сз) кристалла. Оптическое поглощение обусловлено переходом иона из основного состояния М2 в состояние Е со спином 1/2. Во внешнем магнитном поле, направленном вдоль оси Сз, давыдовское расщепление линии 13 747 сж в интервале полей О —25-10 э определяется формулой [c.551]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...