ПЗС структура со скрытым каналом

Оценка точности вычислений слабых токов проводилась при определении сквозных токов в поверхностном и объемном каналах для и-канальной МОП-структуры, изображенной на рис. 14.16. На этом рисунке показано вертикальное сечение прибора вдоль канала. Структура содержит скрытый канал длиной 1,5 мкм и шириной 10 мкм в направлении перпендикулярном плоскости рисунка. Распределение примесей в имплантированном слое задается формулой [c.382]

На рис. 3.7 показан разрез GaAs ПЗС-структуры со скрытым каналом, сделанным на основе барьеров Шоттки. Термин скрытый канал относится к тому обстоятельству, что зарядовые пакеты удерживаются в п-легированном слое или канале, что отличает это устройство от приборов с поверхностным каналом, в которых заряд скапливается в поверхностном инверсном слое МОП или МДП-структуры. Существенными чертами являются омический входной контакт, через который носители инжектируются в устройство, матрица близко расположенных затворов на основе барьеров Шоттки и выходной омический контакт (обозначенный выходной узел ), который принимает с временной задержкой заряд сигнала. Устройство управляется серией сигналов, форма которых зависит от времени примеры некоторых из них показаны на рисунке. Назначение этих тактовых сигналов состоит в том, чтобы произвести выборку входного сигнала (подаваемого на Сг в данном варианте схемы). [c.85]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...