Проводимость влияние лучистой энерги

Увеличение проводимости освещаемого полупроводника объясняется тем [11], что фотоны лучистой энергии выбивают электроны из кристаллической решетки полупроводника и превращают их в свободные электроны проводимости. Эти электроны под влиянием электрического поля, созданного между электродами, образуют первичный фототок. Этот первичный фототок достигает сравнительно больших значений и разрушает первоначальную кристал -лическую решетку, что вызывает появление вторичного фототока за счет образования новых свободных электронов при разруше- [c.141]

У многих полупроводников связь между электронами и атомами настолько незначительна, что лучистой энергии света вполне достаточно для перевода электронов в свободное состояние. Для желтого света энергия фотона составляет 2 электрон-вольта, а у некоторых полупроводников перевод электронов в свободное состояние происходит под влиянием нескольких десятых долей электрон-вольта. У таких полупроводников повыше ние проводимости наблюдается даже под влиянием инфракрасной части спектра. Это дает возможность обнаруживать на расстоянии многих километров излучение, исходящее от даже слабо нагретых тел. В результате такого излучения имеет место небольшое повышение тока в цепи с соответственным полупроводником. Первичное слабое повышение тока затем многократно увеличивается с помощью усилителей, иногда даже в миллион раз. Это дает необходимый сигнал. [c.157]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...