Микроскопия автоионная

ИОННЫЙ ПРОЕКТОР (полевой ионный микроскоп, автоионный микроскоп), безлинзовый ионно-оптич. прибор для получения увеличенного в неск. млн. раз изображения поверхности тв. тела. С помощью И. п. мож- [c.232]

Иа основании результатов прямых структурных исследований о исцрльзованием методов рентгено-структурного анализа, электронной микродифракции, автоионной, ростровой электронной и оптической микроскопии показано, что структу1ш исследованных сплавов представляет собой трехмерные конформации исходной цепочки тетраэдров состава ПМ,)М (с атомом металлоида в центре). [c.68]

Наиболее сложным является механизм адгезионного взаимодействия полимерных тел с металлическими. Так, Д, Бакли [17] при исследовании контактного взаимодействия атомарно-чистых поверхностей вольфрама и фторопласта-4 с помощью автоионного микроскопа установил наличие интенсивного адгезионного взаимодействия, при котором молекулы фторопласта-4 на поверхности твердого тела представляют собой кластеры из трех атомов. Считается, что при адгезии фторопласта-4 в контакт с поверхностью металла входят атомы, расположенные на торце молекулы, т.е. происходит образование связи между поверхностью вольфрама и фуппой СРт, сюэтому перенос идет кластерами из трех атомов. Вспомним, что макромолекулы фторопласта-4 представляют собой винтообразные цепи, состоящие из 26 групп СРт, которые могут кристаллизоваться с образованием гексагональной рететки. [c.66]

Приведены новейшие данные по оптической, световой, электронной, просвечивающей, растровой, дифракционной, фотоэмиссиоиной и автоионной микроскопии. Описан метод дифрактометрии в медленных электронах и при использовании электронов с высокими энергиями. Рассмотрен микроанализ с помощью электронного зонда, Оже-спектроскопии и др. Изложены сведения о сварных соединениях. С позиций металлографии классифицированы различные способы сварки, исследованы основные изменения структуры прн сварке с растрескиванием в твердом состоянии, прослежено влияние температурного поля на структурные изменения при различных способах сварки. [c.28]

Получение образцов для автоэлектронной и автоионной микроскопии, а также для некоторых прикладных целей в виде углеродных волокон в виде конуса с радиусом закругления вершины 0,01 — 1 мкм является наиболее удобным и экономичным приемом. [c.65]

Универсальный автоэлектронно-автоионный микроскоп. [c.74]

Автоиоиное изображение углеродных волокон. Получение авто-ионных изображений проводилось в цельнометаллическом автоион-ном микроскопе, подобном описанию в [190], имеющем сорбционную систему откачки. Давление остаточных газов в рабочей камере микроскопа по активным компонентам составляло менее 10 Па. Исследования проводились с охлаждением образца до температуры жидкого водорода. Особенностью микроскопа являлась система шлюзования образца, позволяющая проводить смену объекта при рабочих температурах. В качестве изображающего газа использовался гелий. Микроскоп был снабжен встроенным усилителем яркости на микрока-нальной пластине диаметром 56 мм. Времена экспозиции в процессе работы составляли от нескольких секунд до нескольких десятков секунд, а полное время, затрачиваемое на смену образца, его охлаждение и получение изображения не превышало 15—20 минут. [c.133]

Лит.. Зандберг Э, Я., Ионов Н. И., Поверхностная ионизация, М., 1969 Мюллер Э., Ц о н г Т., Автоион-ная микроскопия, пер. с англ., М., 1972 их же, Полевая ионная микроскопия, полевая ионизация и полевое испарение, пер. с англ., М., 1980. В. я. Шредник. [c.585]

Лит. Мюллер. Э., Ц о н ь Т., Автоионная микроскопия, иер. с англ., М., 1972 и х ж е, Поливая ионная микроскопия, нолевая ионизация и полевое испарение, пер, с анг.и.. М., 1Я80. [c.210]

Свойства М. г. и приграничных областей определяются их атомно-кристаллнч. строением, отличным от строения зёрен. Методы электронной и автоионной микроскопии (см. Ионный проектор), оже-спектрос-копии и др., а также теоретич. исследования (включающие моделирование на ЭВМ) позволили выяснить, что вблизи М. г. атомы смещаются из узлов кристаллич. решётки и образуют собств. периодич. (или почти пе-риодич.) структуру, характерную для данной М. г. Смещения атомов могут приводить к возникновению виутр. напряжений в объёме зёрен, к-рые играют значит. роль при образовании гетерофазных структур. Однако, если размеры зёрен достаточно велики, возникновение упругих напряжений энергетически невыгодно и М. г. имеют равновесную структуру, не приводящую к появлению дальнодействующих упругих полей. Именно такие М. г. обычно встречаются в поликристаллах. [c.87]

С 1960-х гг. начались исследования М. с. с применением сверхвысоковакуумной аппаратуры в условиях вакуумной гигиены, т. е. в хорошо контролируемых и поддерживаемых условиях. Появилась возможность дозированного изменения состава, темп-ры, зарядового состояния и др. параметров М. с. и прецизионного измерения этих величин, выяснена их связь с геом., в частности структурными, характеристиками поверхности. Наиб, удобны для исследования М. с. на чистых поверхностях полупроводников и др. монокристаллов, т, к. в таких М. с. наблюдаются анизотропные явления. Для изучения состава и структуры М. с. применяют зондирование поверхности электронными, нейтронными, ионными, молекулярными, рентг., световыми и позитронными пучками, автоионную, автоэлектронную, полевую и тепловую эмиссию частиц с исследуемых поверхностей, а также метод зондовой микроскопии. Большинство исследований должно проводиться в условиях сверхвысокого вакуума, что ограничивало возможности этих методов. Применение зондов-острий позволило снять эти ограничения. [c.209]

Недостаточно определенными остаются представления о размерах границ зерен. Принимая во внимание, что на границе зерна действуют те же межатомные силы, что и в кристаллической решетке, и, учитывая сферу действия межатомных сил, считают, что ширина границы составляет несколько периодов решетки часто принимают ее равной 3—5 10 см. Экспериментально, с помощью автоионной микроскопии, получена примерно такая же величина. [c.76]

Второй метод — автоионная микроскопия — предложен Мюллером [1, с. 401—463] в 195 г. Это — уникальный метод, позволяющий наблюдать изображение поверхности твердого [c.151]

Вакансии, дислоцированные атомы и другие точечные дефекты обнаружены при исследовании металлов с помощью автоионного микроскопа, дающего увеличение свьппе 10 раз. [c.11]

Второй метод — автоионная микроскопия — предложен Мюллером [10.2] в 1951 г. Это — уникальный метод, единственный, который позволяет наблюдать изображение поверхности твердого тела с атомным разрешением (0,2—0,3 нм). Образец представляет собой тонкое, заточенное травлением острие из исследуемого металла. Поверхность его кончика, представляют,ая собой почти полусферу радиусом 20—200 нм, радиально проектируется на люминесцентный экран. Для создания изображения используется явление десорбции полем (10 В/см), испарения полем (при высоких температурах) и — чаще всего — ионизации полем постороннего газа (гелия, неона или водорода). Кристаллические грани поверхности острия изображаются на экране с увеличением порядка 10 и разрешением 0,2—0,3 нм, так что можно различать отдельные атомы, в том числе междоузельные и адсорбированные, вакансии, радиационные повреждения, дислокационные полосы скольжения и границы зерен. Была также показана возможность обнажения глубинных слоев образца путем контролируемого послойного испарения полем [9.3]. Слчетание полевого ионного микроскопа с масс-спектрометром сделало его прибором не только структурного, но и химического анализа. [c.117]

Теория АЭ полупроводников развита Страттоном, Елинсоном и др. [12]. АЭ эмиттеры используются пока ограниченно — в некоторых специальных электроннолучевых приборах, в приборах для генерирования миллиметровых и субмиллиметровых волн [13]. Наиболее широкое применение явление АЭ нашло в автоэмиссион-ной и автоионной микроскопии [9]. В качестве АЭ эмиттеров чаще всего используются металлические острия из наиболее тугоплавких металлов вольфрама, рения. [c.460]

Очень малая толщина приграничной зоны, обогащенной или обедненной растворенным элементом, обусловливает чрезвычайно большие трудности прямого экспериментального определения Сгр. Одним из методов, позволяющих прямо наблюдать равновесную сегрегацию, является автоионная микроскопия с разрешающей [c.137]

Для подтверждения этих выводов было проведено измерение поверхностного натяжения микрокристаллов размером г < 1000 А методом ав-тоионной микроскопии. Образцы в форме острий изготовлялись из вольфрамовой проволоки методом электрохимического травления [14] и исследовались в вакуумной камере гелиевого автоионного микроскопа. [c.17]

Таким образом, в области больших размеров (г > 500 А) для определения поверхностного натяжения можно пользоваться методом тонких слоев (исключив при этом влияние подложки в областях г 500 А), а также методом автоионной микроскопии, который позволит определить и величину размерного коэффициента поверхностного натяжения. [c.18]

Первоначально автоионный микроскоп 1 наполняли водородом, теперь обычно используют другие газы, особенно гелий. Благодаря очень высоким разрешениям, достигаемым при применении гелия, можно выявить структуру репдетки чистых поверхностей автоионных эмиттеров. [c.21]

Для выполнения первого и второго условия необходимо иметь минимальную температуру (однако достаточную для дегазации) и максимальное ускоряющее напряжение последнее условие, в то же время, подразумевает ограничение напряженности поля. При работе с гелием оптимальной температурой, по-видимому, является 20° К. Достигаются разрешающие способности вплоть до 3 A (0,3 нм), при которых можно видеть отдельные атомы решетки. При применении водорода, разрешение ограничено из-за вторичных эффектов. Недостатком метода является то, что для ионизации требуются поля напряженностью порядка 500 Мв1см (50 ООО Мв м). В таких полях все металлы с относительно низкими температурами плавления, как, например, железо, даже при температуре жидкого гелия испаряются так быстро, что затрудняется наблюдение стабильной структуры. Кроме того с помощью автоионной микроскопии невозможно исследовать органические вещества. Наиболее интересным применением этого метода является исследование дефектов и явлений роста зерен в тугоплавких металлах. [c.22]

Наиболее полно исследована А. вблизи поверхности металла, т. к. она используется в автоионном микроскопе для получения увеличенного изображения поверхности (см. Ионный проектор). [c.8]

Мюллер Э. В., Цонг Т. Т., Полевая ионная микроскопия, полевая ионизация и полевое испарение, пер. с англ., М., 1980 и X ж е, Автоионная микроскопия, пер. с англ.. М., 1972. ИОНОЛЮМИНЕСЦЁНЦИЯ, люминесценция, возбуждаемая бомбардировкой ионами. [c.233]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...