Л <иер гомопереходе

Позтому для создания омич, контактов часто предпочитают сильно легированные приконтактные области полупроводника, образующие с основным его объёмом пзотопный гомопереход, напр, п —п (рис. 4), где переход образован сильно п ) п слабо (п) легированными областями. Такой переход обладает теми же свойствами, что и контакт металл — по-—лупроводннк с антизапорным слоем. Свойства такого омич, контакта не зависят от изгиба зон непосредственно у металла. [c.447]

НИИ донорной и акцепторной примесями одного и того же полупроводника (напр., 81), и гетеропереходу в К ром р-область и п.-область принадлежат разл. полупроводникам, Термин р — и.-П. как правило, применяют к гомопереходам. [c.641]

С. на основе гомопереходов в прямозонных полупроводниках, легированных т. в. мелкими примесями (см. Примесные уровни), имеют существ, недостаток — сильное поглощение излучения внутри кристалла (коэф. поглощения а — 10 см Ч. Снижение потерь па межзонное поглощение достигается уменьшением энергии излучения за счёт Компенсации примесей в активной области (напр., в эпитаксиальной р — л-структуре GaAs, легированной Si). При сильном легировавии и компенсации хаотически расположенный в пространстве заряд примесей создаёт искривление границ зон, при к-ром локальная ширина запрещённой зоны остаётся постоянной (см. Сильнолегированный полупроводник). Это приводит к тому, что в распределении плотности состояний появляются участки при энергиях ниже зоны Проводимости и выше валентной зоны — т. н. хвосты плотности состояний, пространственно разделённые в обеих зонах. В С. с такой структурой в излучат, рекомбинации принимают участие глубокие и удалённые группы состояний, При этом излучаемые фотоны характери- [c.466]

Накачку полупроводниковых лазеров можно осуществить различными путями, что действительно было проделано. Например, можно использовать внешний электронный пучок или пучок от другого лазера для поперечного возбуждения в объеме полупроводника. Однако до сих пор наиболее удобным методом возбуждения является использование полупроводника в виде диода, в котором возбуждение происходит за счет тока, протекающего в прямом направлении. В этом случае инверсия населенностей достигается в узкой (<1 мкм) полоске между р- и -областями перехода. Можно выделить два основных типа полупроводниковых лазерных диодов, а именно лазер на гомопереходе и лазер на двойном гетеропереходе (ДГ). Лазер на гомопереходе представляет интерес главным образом благодаря той роли, которую он сыграл в историческом развитии лазеров (так были устроены первые диодные лазеры), однако здесь полезно кратко рассмотреть этот лазер, поскольку это поможет подчеркнуть те большие преимущества, которыми обладают ДГ-лазеры. Действительно, только после изобретения лазера на гетеропереходе (1969 г.) [34—36] стала возможной работа полупроводниковых лазеров в непрерывном режиме при комнатной температуре, в результате чего открылся широкий спектр применений, в которых эти лазеры теперь используются. [c.409]

В лазерах на гомопереходе накачка осуществляется в р-п-переходе, в котором как р-, так и л-области выполнены из одного и того же полупроводникового материала (например, GaAs). Как р-, так и л-область являются вырожденными полупроводниками, т. е. концентрации акцепторов и доноров в них столь велики (- 10 атомов/см ), что уровни Ферми Efp для /о-области попадают в валентную зону, а уровни Ферми Ef для -области — в зону проводимости. Когда переход сформирован, [c.409]

В данном разделе обсуждение лазеров и их характеристик будет касаться главным образом полупроводникового ДГ-ла-зсра на GaAs, поскольку в настоящее время это наиболее широко применяемый диодный лазер, однако мы приведем также некоторые данные по другим полупроводниковым материалам для лазеров (например, InGaAsP), а также по устройствам на гомопереходе. [c.414]

В гл. 7 и 8 обсуждались переходы, образованные введением пе-больиюго количества ггримесей в полупроводниковый материал. Они могут быть названы гомопереходами. Однако, как показано на рис. 7.3 и 7.4, суш,ествуют совершенно различные гюлупроводнико-вые материалы, которые тем не менее имеют одинаковые или почти одинаковые постоянные кристаллической решетки. Поэтому они могут образовывать один монокристалл. На границе между ними меняется ширина запрещенной зоны, электронное сродство, диэлектрическая проницаемость и другие свойства. Такие переходы между полупроводниками, имеющими согласованные решетки, но различные свойства, называются гетеропереходами. [c.239]

Для плоского гетероперехода, как и для обсуждавшегося в 7.6 гомоперехода, электростатический потенциал V (х) определяется одномерным уравнением Пуассона [c.239]

Из сказанного следует, что n-N и р-Р гетеропереходы ведут сй5я как омические резистивные элементы, а п-Р и p-N гетеропереходы имеют волы-амперную характеристику, подобную характеристике р-п гомоперехода [c.247]

При обратном смещении толщина обедненного слоя и собственная емкость могут быть рассчитаны тем же способом, что и в случае гомоперехода. [c.249]

Гетероструктуры п-М и р-Р обычно характеризуются омическим поведением. Гетероструктуры п-Р и М-р имеют характеристики, подобные характеристикам р-п гомопереходов, но с повышенной эффективностью инжекции неосновных носителей в узкозонный материал. [c.264]

Формулы (4.3.93), (4.3.94), (4.3.96) и (4.3.97) определяют Е, как функцию от х Ес, может быть получено просто сложением Ял н Аналогично получается прибавленнем Eg, к Различные величины, которые обсуждались при рассмотрении гетероперехода, показаны на рис. 4.3.8. Небольшой опыт в построении таких энергетических зонных диаграмм позволяет рисовать диаграмму для гетероперехода по диаграмме для гомоперехода, добавляя просто соответствующие АЯс и АЕо, как описано в 4 настоящей главы. [c.249]

График зависимости Es от х при этом будет таким же, как и для гомоперехода в полупроводнике с запрещенной зоной Eg,. Однако здесь есть одна тонкость. Для того чтобы получить правильное значение контактной разности потенциалов, нужно при определении уровня Ферми в полупроводнике с широкой запрещенной зоной использовать правильные значения параметров, например таких, как эффективная масса. [c.266]

Применение этого метода на примере резкого р — Л -гетеро-перехода, изображенного иа рис. 4.3.II, а, продемонстрировано на рис. 4.4.1. На рис. 4.4.1,а Ес х) и Ev(x) изображены с учетом только Es x), что соответствует случаю гомоперехода. На рис. 4.4.1, б энергетическая зонная диаграмма, приведенная выше на рис. 4.3.II,а, получается добавлением к Ес х) при х>0 постоянной величины Д с и вычитанием из Е х) постоянной величины Д о. На рис. 4.4.1, а уровень отсчета выбран так, что Е х) на рис. 4.4.1, б стремится к нулю иа больших положительных расстояниях. Этот метод удобно применять при схематическом нзображеиии энергетических зонных диаграмм для получения приближенных выражений. Его полезно использовать также в упрощенной модели плавных гетеропереходов. [c.266]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...