Изготовление лазеров полосковой геометрии

ИЗГОТОВЛЕНИЕ ЛАЗЕРОВ ПОЛОСКОВОЙ ГЕОМЕТРИИ [c.238]

В предыдущих главах были представлены основы теории,, описывающей лазеры на гетероструктурах, и методы эпитаксиального выращивания. Были рассмотрены только те структуры, в которых существует ограничение для носителей -и излучения в лаправлении, перпендикулярном р — л-переходу. Они называются лазерами с широким контактом. Больше всего используются такие полупроводниковые лазеры, в которых ток ограничивается также и в плоскости р — -перехода (боковое ограничение). Они называются лазерами полосковой геометрии. В этой главе будут изложены и обсуждены методы изготовления и рабочие характеристики лазеров как с широким контактом, так и полосковой геометрии. [c.181]

В процессе изготовления гетеролазеров используются гете-оэпитаксиальные пластины, выращенные методами, описанными в 5—7 гл. 6. В 2 гл. 7 обсуждаются вопросы изготов-ения омических контактов и разделения пластин на отдельные / азеры. Эти технические приемы одинаковы для лазеров с ши-оким контактом и для лазеров полосковой геометрии. Описание методов ограничения тока в лазерах полосковой геометрии тложено до 6 данной главы. Из-за того что каждая лабора-рия предпочитает свой собственный рецепт , здесь можно ривести только общие принципы методов изготовления и ти-ичные примеры. [c.181]

Хотя любому из представленных в 3—5 лазеров с широким контактом может быть придана полосковая геометрия, работа по созданию полосковых структур в основном была сосредоточена на ДГС-лазерах. В этом параграфе продолжается описа-, ние процессов изготовления лазеров, начатое в 2 настояш,ей главы. Здесь будут описаны методы изготовления полосковых лазеров на GaAs — ALGai tAs и различные виды полосковых [c.239]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...