ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ГАЛЬВАНОМАГНИТН ЫЕ ЯВЛЕНИЯ

Часть I, посвященная нормальным металлам, представляет собой значительную переработку книги автора Введение в теорию нормальных металлов , изданной в СССР в 1972 г., а затем переведенной и изданной в США и в ГДР. Эта часть охватывает следующие темы электронные спектры металлов, электро-и теплопроводность, гальваномагнитные и термоэлектрические явления, поведение металлов в высокочастотных полях, поглощение звука, ферми-жидкостные явления. Изложена современная концепция энергетических спектров электронов в металлах и методы, позволяющие изучить поведение металлов в постоянных и переменных полях. Показано, как с помощью результатов таких исследований можно восстановить энергетический спектр. [c.7]

Книга посвящена рассмотрению широкого круга физических явлений, определяющих принципы построения и работы РЭА и ЭВЛ и технологических процессов их изготовления — физической природе механических, тепловых,, алектрнческих и магнитных свойств твердых тел н пленок, адгезионной связа и механической стабильности и надежности пленочных структур, природе кои-тактных и поверхностных явлений, термоэлектрических, гальваномагнитных, оптических и фотоэлектрических эффектов и механизму переноса зарядов через топкие пленки. [c.2]

Настоящая книга написана в полном соответствии с программой курса, утвержденной Минвузом СССР 05.09.74 г., и представляет собой краткое введение в теорию широкого круга явлений, с которыми приходится непосредственно иметь дело конструктору и технологу радиоэлектронной и электронно-вычислительной аппаратуры. Цель книги — помочь читателю понять физическую природу механических, тепловых, магнитных и электрических свойств твердых тел, контактных и - поверхностных явлений в полупроводниках, наиболее широко используемых в современной радиоэлектронике. В книге освещены также термоэлектрические, гальваномагнитные, оптические и фотоэлектрические явления в полупроводниках и механизмы переноса зарядов в тонких пленках. На этих явлениях основана работа широкого класса электронных приборов датчиков температуры, индукции магнитного поля, фотоэлектрических приборов, лазеров, тонкопленочных элементов и т. п. [c.3]

Т. н. п. даёт теор. основу для исследования открытых систем, позволяет объяснить мн. неравновесные явления в проводниках, напр, термоэлектрические явления, гальваномагнитные явления и термогальваномагнитные явления. Вывод законов Т. и. п. из законов мехакики (классич. и квантовой) и получение выражений для кинетич. коэфф. через параметры, характеризующие строение в-ва, входят в задачу неравновесной статистич. термодинамики, к-рая относится к Т. и. п. как статистич. термодинамика к термодинамике. [c.754]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...