Кристаллическая AIVBVI

Rpй taлЛы и йх обломки, или сросшиеся кристаллы—afpei atbl они окрашены в желтый, розовый, синий и другие цвета или бесцветны. Размер отдельных зерен чеще всего соответствует весу 0,01—0,4 карата. Алмаз имеет кубическую кристаллическую решетку, в которой содержится 18 атомов углерода, каждый из них связан обш,ими электронами с четырьмя другими атомами. Связи эти чрезвычайно прочные, благодаря им алмаз обладает самой высокой в природе твердостью и режущей способностью. Износостойкость алмаза превосходит износостойкость обычных абразивных. материалов при обработке закаленных сталей в 100—200 раз, а при обработке твердых сплавов — в 5—10 тыс. раз. Твердость и износостойкость алмаза неодинаковы в различных направлениях. Анизотропия свойств учитывается при изготовлении однокристальных алмазных инструментов, например резцов. [c.57]

Некоторые соотношения математической модели неупругого деформирования поликристалла существенно упрощаются, если он состоит из однородных зерен с кубической кристаллической решеткой. Такие зерна изотропны по отношению к тепловому расширению и всестороннему равномерному растяжению или сжатию. Поэтому в (2.63)—(2.65) AeiP = О, а в (2.69) и (2.71) соответственно и Кроме того, = врбр = [c.103]

Полупроводниковые соединения типа AVHBIV. Известны полупроводники этого класса ReSia с шириной запрещенной зоны Eg = 0,13 se [16] и MnSi с кубической кристаллической структурой а — 4,557 А, группа Г, Eg = 0,5 — 0,6se,fA = 10 -г- 40 сж /(б-сек), X. = = 10" вт см-град) [242]. [c.414]

Исследования спиновых центров на атомарно-чистых поверхностях Si и Ge дали полезную информацию о гибридизации поверхностных атомов. К сожалению, они относятся только к поверхностям раскола, т.е. к граням (ill). Другие плоскости не изучались. В литературе имеются данные о парамагнитных центрах на поверхностях раскола кристаллических модификаций Si02, где также обнаружена регибридизация связей Si. Из-за больших ширин линий с размытой СТС менее информативны данные ЭПР для ряда соединений AIIIbv Этим, по-видимому, и исчерпывается на сегодняшний день перечень атомарно-чистых поверхностей полупроводников и диэлектриков, изученных методом ЭПР. Последнее в значительной степени связано с недостаточно высокой чувствительностью метода. По этой причине мало еще изучены температурные зависимости сигналов ЭПР и зависимости параметров линий от концентрации спиновых центров, что, как мы отмечали ранее, дало бы более полные данные о топографии спиновых центров и механизме их заполнения. Метод ЭПР не применим к атомарно-чистым поверхностям металлов, т.к. из-за их высокой электропроводности резко падает добротность резонатора. [c.157]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...