Длины волн инжекционных лазеро

Когерентными источниками излучения в О. служат гл. обр. инжекционные лазеры. Применяются гетероструктуры, из к-рых также наиб, распространёнными являются системы AlGaAs, Вследствие лазерного эффекта ширина линии АХ 0,1 нм, расходимость луча не более 30 , кпд до 50%. Длина волны меняется в зависимости от состава твёрдого раствора активной области. Наиб, освоен (на 1990) диапазон длин волн от [c.462]

Наряду с высокими энергетич. характеристиками важной привлекательной особенностью Э. л. является чрезвычайно высокое значение ширины линии усиления активного перехода (табл.). Это открывает возможность создания мощнь[х лазеров УФ- и видимого диапазонов с плавной перестройкой длины волны в достаточно широкой области спектра. Указанная задача решается с помощью инжекционной схемы возбуждения лазера, включающей в себя маломоишый генератор лазерного излучения с длиной волны, перестраиваемой в пределах ширины линии усиления активной среды Э. л., и широкополосный усилитель. Эта схема позволяет получить лазерное излучение с шириной линии 10 нм, перестраиваемое по длине волны в диапазоне шириной 10 нм и более. [c.501]

Десять лет тому назад был создан первый квантовый генератор света — лазер. С момента создания первых лазеров работы в области квантовой электроники развернулись в широких масштабах и развивались исключительно быстрыми темпами. Бурное развитие квантовой электроники продолжается и поныне. В результате за короткое время было разработано очень много разных типов лазеров твердотельные лазеры на кристаллах и стеклах, жидкостные лазеры, газовые лазеры (атомные, молекулярные, ионные), полупроводниковые лазеры (инжекционные, с электронным и оптическим возбуждением), лазеры с перестраиваемой частотой, химические лазеры, лазеры на основе вынужденного комбинационного рассеяния и др. Созданы импульсные лазеры и лазеры непрерывного действия, даюпхие когерентное излучение в широком диапазоне длин волн от ультрафиолетового (0,2 мк) до дальнего инфракрасного (538 мк) участков спектра. [c.5]

В лабораторных условиях для новейших низкопоглощаю-щих, не содержащих свинца пленок с просветляющими покрытиями, при работе с полупроводниковыми инжекционными лазерами на длине волны 1 = 800 нм были получены очень высокие коэффициенты пропускания ЛИН. поляр — более 65% при оптимизированной толщине (ПКМ при этом составлял 230°). Эти пленки относят к классу пленок с большим периодом решетки (БПР), в которых период решетки увеличивается пропорционально увеличению содержания висмута. Возможны методы дальнейшего увеличения периода решетки и увеличения содержания висмута, приводящие к дальнейшему увеличению Гг, ЛИН. поляр до значений, превышающих 95% в ближней ИК области лазерного излучения, 90% для линии спектра Ма в 589 нм и 60% для зеленой линии в 546 нм. Эти планируемые к использованию составы пленок относят к классу материалов с очень большим периодом решетки (ОБПР) (рис. 1.12) [19]. Последние работы по ионной имплантации открыли пути к увеличению анизотропии, так что можно надеяться, что низкие переключающие поля все же будут достигнуты [20]. [c.30]

Рис. 2.4. Бистабильность в резонаторе Фабри — Перо, заполненном квантоворазмерной структурой на ОаАз, на длине волны излучения полупроводникового инжекционного лазера 830 нм. Верхняя правая развертка инвертированная зависимость входного сигнала от времени (максимум около 6 мВт). Верхняя левая развертка зависимость входного от входного сигнала. Нижняя левая развертка зависимость выходного сигнала от входного. Нижняя правая развертка зависимость выходного сигнала от времени.

Оптическая накачка полупроводниковым лазером или светодиодом. В настоящее время развивается метод узкополосной оптической накачки лазера ИАГ Кс1 +. В качестве источника накачки применяют инжекционный лазер на СаА5 или светодиод из Са1 хА11 А5. В первом случае накачка осуществляется на длине волны 0,8 8 мкм (накачка в группу В линий в спектре поглощения на рис. 1.17, а) во втором случае — на длине волны 0,81 мкм (накачка в группу Б линий того же спектра). [c.33]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...