Рентгеновы лучи жесткие

Микродефекты типа Шоттки возникают в решетке вследствие миграции ионов к поверхности кристалла, где они образуют новые слои. Такой механизм был назван Я- И. Френкелем процессом растворения в кристалле окружаюнхей пустоты. Выполненные за последние годы экспериментальные исследования изменения параметров решетки под действием рентгеновых лучей убедительно доказывают, что образование микродефектов под действием жесткого излучения действительно происходит по указанному выше механизму. [c.100]

Так, в спектре поглощения фосфора КС1—Ag возникают под действием рентгеновых лучей две группы полос (рис. 65 и 66), несомненно обусловленных активатором, так как в чистых кристаллах КС1 они совершенно отсутствуют. Первая группа состоит из трех максимумов 222, 235 и 260 т л, причем в отличие от других полос они возникают только под действием жесткого излучения и не образуются, например, при аддитивном окрашивании фосфора. Это обстоятельство, а также сопоставление спектров поглощения ионов серебра в газообразном и гидратированном состояниях со спектрами щелочно-галоидных фосфоров с серебром до и после их рентгенизации (табл. 22) позволяет заключить, что упомянутая группа полос обусловлена поглощением ионов серебра, уровни которых испытали некоторое смещение в результате облучения фосфора рентгеновыми лучами. Подобное смещение может [c.166]

Даже после облучения щелочно-галоидных фосфоров рентгеновыми лучами в кристалле не обнаруживается активаторных центров, ионизованных действием жесткого излучения. После рентгенизации в спектрах поглощения щелочно-галоидных фосфоров, активированных ионами Sn++, Ni++, Pb++, Ag+, u+ и In+, возникают новые полосы поглощения, а в ряде случаев соответственно новые центры свечения. Проведенные нами исследования спектров поглощения и люминесценции, обесцвечивающего действия монохроматического света и других свойств центров поглощения и свечения, возникающих в щелочно-галоидных фосфорах под действием жесткого излучения, показывают, что новые центры возникают вследствие захвата ионами активатора свободных электронов и превращения ионных центров активатора в атомарные центры. [c.241]

Степень ослабления рентгенова излучения при его прохождении через образец зависит от его толщины и рода материала, а также от длины волны. Чем короче длина волны, тем в меньшей степени снижается интенсивность излучения. Рентгеновы лучи с короткой волной получаются при высоком напряжении и называются жесткими. Лучи с более длинной волной можно получить, понижая напряжение на трубке такие лучи называются мягкими. Таким образом, жесткость и одновременно степень ослабления излучения после прохождения через заданный образец можно изменять, регулируя напряжение на трубке. Одновременно необходимо регулировать и ток трубки, измеряемый миллиамперметром (рис. 11-3,6), так как произведение этого тока на напряжение не должно [c.293]

Еще более сильное действие на некоторые электроизоляционные материалы, чем лучи видимого света и ультрафиолетовые, оказывают рентгеновые лучи и другие виды жестких, ионизирующих излучений (альфа-, бета- и гамма-лучи, потоки электронов и пр.) от ядерных реакторов, ускорителей элементарных частиц, радиоактивных изотопов и т. п. Такие излучения, все более и более широко применяющиеся в современной технике, могут оказывать весьма заметные воздействия на многие материалы, в том числе электроизоляционные (а также и на другие виды электротехнических материалов, в частности, полупроводниковые). Под действием ионизирующих излучений могут происходить как изменения электрических свойств материалов (например, появление добавочной электропроводности), так и глубокие их физико-химические превращения. Так, органические полимеры могут становиться более твердыми и тугоплавкими (это иногда используется даже для обработки материалов определенной дозой жесткого облучения для повышения их качества пример — облучение полиэтилена для повышения его нагревостойкости), но и более хрупкими и даже полностью разрушаться (пример — политетрафторэтилен), а иногда, наборот, размягчаться и разжижаться. [c.308]

Для лучшего поглощения жестких рентгеновых лучей эмульсия на рентгеновских пленках (в отличие от обычных фотографических) нанесена с обеих сторон или имеет несколько большую толщину. Это сокращает экспозицию и повышает контрастность Для дальнейшего сокращения экспозиции рентгеновскую пленку помещают в кассету между двумя усиливающими экранами. Для [c.252]

Рентгеновы лучи подразделяются на мягкие и жесткие. Чем короче длина волны, тем жестче рентгеновы лучи. Длина волны, в свою очередь, зависит от величины напряжения, приложенного к рентгеновской трубке чем выше напряжение, тем короче длина волны. [c.103]

Энергия фотонов часто выражается в электрон-вольтах. Лучам видимого света соответствует энергия фотонов порядка 1,6—3,2 электрон-вольта (эв). Рентгеновы лучи, создаваемые в обычных рентгеновских аппаратах, характеризуются энергией фотонов в десятки и сотни тысяч электровольт (кэв) у коротковолновых (жестких) рентгеновых [c.187]

Для лучшего поглощения жестких рентгеновых лучей в рентгеновских пленках эмульсия в них, в отличие от обычных фотографических пленок, нанесена с обеих сторон и имеет несколько ббльшую толщину. Это сокращает экспозицию и повышает контрастность. [c.193]

Для дальнейшего сокращения экспозиции рентгеновскую пленку помещают в кассету между двумя усиливающими экранами. Для жестких рентгеновых лучей (при напряжении 80—100 кв и выше) и у лучей приме- [c.193]

На рис. 4-3 представлены кривые зависимости сплощных спектров рентгеновых лучей от напряжений на аноде (для трубок, используемых в дефектоскопии). Длина волны X наиболее жестких рентгеновых лучей, излучаемых рентгеновской трубкой, зависит от скорости движения электронов V, которая в свою очередь зависит от анодного напряжения и. Эта зависимость представлена на графике рис. 4-4 и выражается проверенным экспериментально уравнением [c.204]

Указанные чувствительности пленок не характеризуют их чувствительности к действию жестких рентгеновых и гамма-лучей, ибо чувствительности определяются при облучении рентгеновыми лучами с напряжением на трубке 80 кв. [c.266]

Под действием рентгеновых и у-лучей спектры поглощения щелочно-галоидных фосфоров испытывают сильные изменения Кроме известных полос в видимой области, обусловленных обыч ными центрами окраски, возникает ряд новых полос, преимущест венно в ультрафиолетовой области, обусловленных активаторны ми центрами, но видоизмененными действием жесткого излучения [c.166]

Существенное отличие гамма-лучей от рентгеновых заключается в следующем если от одной и той же рентгеновской установки могут быть получены как жесткие, так и мягкие излучения, то при использовании радиоактивных веществ жесткость излучения данного радиоактивного вещества будет постоянной. [c.106]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...