Температурный коэффициент диэлектрической проницаемост

Поскольку диэлектрическая проницаемость пропорциональна емкости образца, то можно связать температурный коэффициент диэлектрической проницаемости ТКе с температурным коэффициентом емкости ТКЕ образца. Последний определяется формулой [c.92]

Однако вследствие теплового расширения вешества количество поляризующихся молекул в единице объема уменьшается и е при повышении температуры должна также уменьшаться (рис.4.6,а, б), т.е. температурный коэффициент диэлектрической проницаемости [c.94]

В большинстве случаев при интенсивной ионной поляризации диэлектрики имеют положительный температурный коэффициент диэлектрической проницаемости. Эта закономерность объясняется тем, что при повышении температуры ослабляются упругие силы связи между ионами в узлах кристаллической решетки, что облегчает смещение ионов в электрическом поле. [c.32]

Температурный коэффициент диэлектрической проницаемости у ионных кристаллов положителен. [c.7]

Температурный коэффициент диэлектрической проницаемости неполярных жидкостей в значительной мере определяется объемным, расширением при нагреве и имеет порядок 10 град" . Как показывает опыт, е неполярных жидкостей не зависит от.частоты. [c.10]

Все перечисленные в 1.1 виды поляризации относятся к твердым диэлектрикам. В неполярных твердых диэлектриках наблюдается электронная поляризация. В этом случае диэлектрическая проницаемость равна квадрату коэффициента преломления. Сюда относятся валентные кристаллы (алмаз), молекулярные кристаллы, не содержащие полярных групп (нафталин, сера), неполярные полимеры (полиэтилен, политетрафторэтилен, полипропилен, полиизобутилен, полистирол). Для неполярных диэлектриков температурный коэффициент диэлектрической проницаемости определяется изменением числа молекул в единице объема и может быть вычислен по формуле, применяемой для неполярных жидкостей [c.12]

Ионные кристаллы с пло т ной упаковкой молекул, соответствующие формам расположения частиц в кристаллах, характеризующиеся наибольшим числом частиц в единице объема кристалла, обладают электронной и ионной поляризацией, положительным температурным коэффициентом. Исключение составляет рутил (двуокись титана), имеющий отрицательный температурный коэффициент диэлектрической проницаемости, который объясняется электронной природой поляризации. [c.12]

Температурный коэффициент диэлектрической проницаемости сложного диэлектрика определяется из уравнения [c.15]

TKf или — температурный коэффициент диэлектрической проницаемости [c.8]

Содержание щелочных оксидов (N. ,0 в большей степени, чем KjO) повышает е, силикатных стекол (рис. 6-35). Температурный коэффициент диэлектрической проницаемости различных технических стекол находится в пределах от +30-10 до +500-10 К . [c.163]

Температурный коэффициент диэлектрической проницаемости. . 3- 10 К - [c.181]

Важнейшими электрофизическими свойствами электроизоляционной керамики, как и всякого диэлектрика, являются диэлектрическая проницаемость е, температурный коэффициент диэлектрической проницаемости ТК. г, удельное объемное и поверхностное сопротивление pv и ps, диэлектрические потери, выражаемые чаще всего через тангенс угла диэлектрических потерь tgS, электрическая прочность или пробивная напряженность Unp. [c.15]

Температурный коэффициент диэлектрической проницаемости ТКе. При повышении температуры значение е у керамических материалов меняется у одних оно растет, у других снижается, у третьих в разных температурных областях растет или снижается. Температурный [c.18]

Измерение температурного коэффициента емкости. Значение Цг материала не остается постоянным при изменении температуры. В зависимости от типа материала и температурного диапазона ег с ростом температуры может увеличиваться или уменьшаться. Для оценки изменения 8г от температуры применяют средний температурный коэффициент диэлектрической проницаемости (ТКб), который выражается формулой [c.385]

Поскольку бг пропорциональна емкости образца, то можно связать температурный коэффициент диэлектрической проницаемости с температурным коэффициентом ас образца [c.385]

Важной характеристикой радиотехнической керамики является температурный коэффициент диэлектрической проницаемости ТК е. В большинстве случаев зависимость диэлектрической проницаемости [c.289]

Температурный коэффициент диэлектрической проницаемости в керамических материалах с ионной структурой в большинстве случаев имеет положительное значение. Это связано с тем, что с повышением температуры понижается плотность вещества и возрастает поляризуемость ионов. Однако имеется группа материалов, обладающих отрицательным пли переменным ТК е. Диэлектрическая проницаемость зависит от частоты тока и с ее увеличением заметно снижается. Диэлектрические потери в керамических диэлектриках находятся Б зависимости от структуры и фазового состава материала. В большинстве керамических материалов диэлектрические потери определяются поляризацией и сквозной электропроводностью. Если керамический диэлектрик образован кристаллической фазой с плотной и устойчивой упаковкой ионов (корунд), то диэлектрические потери в нем при отсутствии примесей, искажающих решетку, будут незначительны. Напротив, если в керамическом диэлектрике большое содержание стекловидной фазы, являющейся типичным веществом ионной структуры, то диэлектрические потери в таком материале вследствие большой поляризуемости щелочных ионов и большой электропроводности будут велики. Керамические диэлектрики, кристаллическую фазу которых составляют вещества, обладающие структурой с неплотной упаковкой ионов (муллит, циркон, кордиерит), характеризуются повышенными диэлектрическими потерями, вызываемыми так называемой релаксационной поляризацией. Диэлектрические потери для подавляющего большинства керамических диэлектриков с повышением температуры возрастают. Величина диэлектрических потерь связана также с частотой. [c.290]

Для такого вида изделий применяют керамические материалы, обладающие небольшой величиной и положительным температурным коэффициентом диэлектрической проницаемости. Диэлектрические потери в этих материалах должны быть по возможности минимальными. [c.291]

Температурный коэффициент диэлектрической проницаемости в интервале температур 20—80° С при частоте 0,5—5 л гг ..... + (150 30) 10 4- (110+30) 10 -Ь(110 30). 10 -ь (110 30) 10- [c.294]

Температурный коэффициент диэлектрической проницаемости в интервале температур 20—80° С нри частоте 0,5—5 мгц..... f (110 30) 10 -Ь (110 30) 10- -Ь (110 30) 10- + (110 30) -Ю [c.295]

Температурный коэффициент диэлектрической проницаемости в интервале температур 20—80° С при частоте 0,5—5 мгц - (1300 200) X — (1700 100)х - (80 30) X - (50+20) X Ч- (30 20) X [c.298]

Зависимость е от температуры. У неполярных диэлектриков температура на процесс поляризации непосредственно не влияет электронная поляризуемость а, молекул от температуры не зависит. Однако вследствие теплового расширения вещества количество поляризующихся молекул в единице объема уменьшается и е при повышении температуры должна также уменьшаться (рис. 15.6, а, б), т. е. температурный коэффициент диэлектрической проницаемости [c.118]

Содержание щелочных оксидов (КагО в большей степени, чем К2О) повышает е силикатных стекол (рис. 20.9). Температурный коэффициент диэлектрической проницаемости ТКе различных технических стекол находится в пределах (30 50) 10 Кг [c.197]

Все указанные материалы имеют положительный температурный коэффициент диэлектрической проницаемости ТКе, [c.202]

Для неполярных жидких диэлектриков характерно уменьшение е с повышением температуры. Температурный коэффициент диэлектрической проницаемости для таких жидкостей [c.25]

Температурная зависимость Т диэлектрической проницаемости е характеризуется температурным коэффициентом диэлектрической проницаемости [c.72]

Дифференцируя уравнение (2.29) по Т, получим связь между рк и температурными коэффициентами диэлектрической проницаемости Ре и вязкости р,, [c.135]

Изменение от температуры характеризуют температурным коэффициентом диэлектрической проницаемости, общее определение которого соответствует выражению [c.41]

Термоконды, изготовляемые из ТЮг, MgO и других материалов, имеют невысокую диэлектрическую проницаемость, переменный температурный коэффициент диэлектрической проницаемости (положительный или отрицательный). [c.384]

Температурный коэффициент диэлектрической проницаемости ТКе определяется дифференцированием уравнения Клаузиуса. — Мосотти по телтературе [c.10]

Конденсаторная керамика отличается небольшим содержанием бесщелочной аморфной фазы. Кристаллические фазы формируют в соответствии с требуемыми ТКе, стремясь к наибольшему значению е и низкому tg 6. С величиной ТКе тесно связана диэлектрическая проницаемость чем больше (по абсолютной величине) ТКе, тем выше, значение е (рис. 10.1). Значение е изменяется в пределах 12 -т- 230 при 20 С tg 6 == 6 -10- if = 10 гц) 80 ке1см, о зг 800 кГ см при 155° С -у 10 1/ол СМ, - g б sS 1,2 -Ю . По величине температурного коэффициента диэлектрической проницаемости ТКе материалы можно подразделить на три класса (табл. 10.2) класс I — не-термостабильная керамика с ТКе = [(—3300) (—1500)] 10 Мград] [c.144]

По формуле (1-5) можно вычислить относительное изменение диэлектрической троницаемости при повышении температуры на 1 К — так называемый температурный коэффициент диэлектрической проницаемости. [c.23]

Твердые диэлектрики, представляющие собой ионные кристаллы с плотной упаковкой частиц, обладаьзт электронной и ионной поляризациями и имеют диэлектрическую проницаемость, изменяющуюся в широких пределах. Температурный коэффициент диэлектрической проницаемости ионных кристаллов в большинстве случаев положителен. Примером одного из таких диэлектриков служит КС1 (рис. 1-6). [c.26]

Исключением являются кристаллы, содержащие ионы титана (рутил TiOa и некоторые титанаты), температурный коэффициент диэлектрической проницаемости которых отрицателен. Это объясняется преобладающей в них э/ектронной поляризацией, усиленной под влиянием добавочного внутреннего поля при ионном смещении. [c.26]

Температурный коэффициент диэлектрической проницаемости сложного диэлектрика определяется днфферепцированиеи уравнения (1-10) по температуре [c.30]

Ti02 имеет очень большой отрицательный температурный коэффициент диэлектрической проницаемости (ТК е=—750-10- ). Однако для ряда случаев необходим керамический материал со значением ТКе, близким к нулю, позволяющий создать термостабильный конденсатор в области определенного интервала температур. В массы для изготовления таких изделий наряду с Ti02, имеющим отрицательное значение ТКе, вводят компонен- [c.186]

Температурный коэффициент диэлектрической проницаемости TKZf — величина, позволяющая оценить характер изменения диэлектрической проницаемости с изменением температуры [c.162]

Параэлектрики типа смещения, теория Кокрена. Среди диэлектриков с высокой проницаемостью особое место занимают неполярные кристаллы с величиной е порядка 100 и выше. Характерными представителями таких диэлектриков являются, как уже отмечалось, рутил и перовскит. Для этих кристаллов характерна весь.ма большая электронная поляризуемость (е(оо)>5). Кроме того, диэлектрическая проницаемость кристаллов типа рутила и перовскита в сильной Степени зависит от температуры, причем температурный коэффициент диэлектрической проницаемости ТК е<0. В ряде случаев для описания температурной зависимости можно даже применять закон Кюри — Вейса. Например, в aTiOs зависимость г(Т) может быть описана в широком интервале температур формулой e(T) bl+ (T—0)- , если считать еь = 60, С=4-10 К и 0=—90 К, где еь — не зависящая от температуры проницаемость С — постоянная Кюри — Вейса 6 — температура Кюри —Вейса. [c.86]

Количественное сравнение нелинейности различных диэлектриков производится по дифференциальному параметру ЛА= = (i/e)flfe/af , который вводится по аналогии с температурным коэффициентом диэлектрической проницаемости ТКг= 11г)йе1с1Т). Из выражений (6.9) и (6.10) легко получить, что коэффициенты б1 и б2 связаны с нелинейностью N простыми соотношениями как для нецентросимметричных, так и для центросимметричных диэлектриков [c.186]

Из других ВИДОВ высокочастотной керамики следует отметить цельзиановую керамику. Цельзиановая керамика характеризуется очень низким коэффициентом термического расширения, сравнительно небольшим положительным температурным коэффициентом диэлектрической проницаемости и небольшими диэлектрическими потерями при нормальной и повышенной температурах (300—400° С). Цельзиановая керамика рекомендуется для изготовления катушек индуктивности высокой стабильности, изоляторов и высокочастотных конденсаторов большой реактивной мощности. [c.296]

Ввиду обилия составов конденсаторной керамики принято обозначение масс буквой Т или ТК с указанием соответствующего значения диэлектрической постоянной для этого материала, например Тгьо. Значение температурного коэффициента диэлектрической проницаемости может быть положительным, отрицательным или переменным. Изменяя состав масс, можно в известных пределах изменять величину диэлектрической постоянной. [c.297]

Большая часть этих материалов имеет в качестве основной составной части рутил (двуокись титана) ТЮз- Рутил (основная составная часть титановых белил) —кристаллическое вещество, имеющее в направлении главной кристаллической оси весьма высокую диэлектрическую проницаемость 8=173. В керамических материалах на основе рутила благодаря беспорядочному расположению, в пространстве кристаллов рутила и наличию различных добавок диэлектрическая проницаемость получается, естественно, меньше указанной величины, но все же превосходящей диэлектрическую проницаемость большинства практически применяемых твердых диэлектриков — примерно от 55 до 160. Тако-вы т и к о н д ы Т 60, Т 80 и Т 150 (название тиконд — сокращенней слов татан и <<ко яденсат0р )7 -число—в обозначении марки — приблизительная величина е. Характерной особенностью тикондов является большой отрицательный температурный коэффициент диэлектрической проницаемости у этих материалов, в противоположность, например, фарфору, диэлектрическая проницаемость при повышении температуры уменьшается. Разработаны также материалы с менее высокой е — от 112 до 25, но с менее резко выраженной зависимостью ее от температуры. Классификация радиокерамических материалов и требования к ним даны в стандарте Материалы керамические радиотехнические (ГОСТ 5458-57). [c.190]

Тиконд Т-60 изготовляют из двуокиси титана и небольшого количества глины. Изделия обжигают при 1300—1350° С. Тиконд (Т-60) имеет отрицательный температурный коэффициент диэлектрической проницаемости при высоком значении последней. [c.312]

Основой тиконда Т-150 является титанат кальция. Этот материал по сравнению с тикондом Т-60 имеет более высокую диэлектрическую проницаемость, больший отрицательный температурный коэффициент диэлектрической проницаемости и малый угол диэлектрических потерь. [c.312]

Характерной особенностью этих материалов является высокий отрицательный температурный коэффициент диэлектрической проницаемости. Тиконд состоит преимущественно из двуокиси титана. Примерный состав шихты его таков двуокись титана (малярная) — 80ч-90% глина— 5- 15% углекислый барий — 5%. [c.216]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...