Распределение рассеивающей способност

Тогда Р(г, 0) имеет форму, показанную на фиг. 5.5. Эту функцию можно получить из распределения рассеивающей способности для всех энергий J P(u, v)pdv она представляет собой пик в центре. [c.112]

Существенная разница между выражениями (5.33) и (5.34) появляется в случае, если вводится ограничение, состоящее в том, что атомы не могут заметно перекрываться, т. е. что в данный момент времени t распределение Паттерсона g (г, /)>)< (—г, —1), а следовательно, в общем случае (г, 0) не могут содержать никаких точек в интервале от [г = О до [г ( = 2гц, где Гц — эффективный радиус атома. При г1 > 2го функция (г, 0) будет иметь некоторые флуктуации, поскольку атомы обычно испытывают взаимное притяжение. Будет наблюдаться тенденция к появлению избытка атомов на минимальных возможных расстояниях (расстояниях ближайших соседей ) тогда возникает ощутимая, но менее заметная тенденция того, что атомы, особенно в жидкостях, будут появляться на расстояниях до вторых, третьих и т. д. ближайших соседей, так что (г, 0) будет иметь форму, показанную для одномерного случая на фиг. 5.6, а, с дельта-функцией в начале координат. Функция Р(г, 0) тогда будет иметь форму, показанную на фиг. 5.6, б, а распределение рассеивающей способности будет осциллировать с увеличением и I, как показано на фиг. 5.6, в. [c.114]

Фиг. 5.6. Схематические изображения, показывающие форму распределения Паттерсона (а), действительной функции Паттерсона (б) и распределения рассеивающей способности для реального одноатомного газа или жидкости (в).

При дифракции электронов с длиной волны порядка 0,04 А диаметр сферы Эвальда будет составлять 50 А На такой сфере интерес будет представлять только маленькая область радиусом 5 А вокруг начала координат обратного пространства, а рассеяние будет происходить преимуш,ественно под малыми углами, как показано на фиг. 5.9, б. Дифракционную картину можно регистрировать на плоской пластинке или пленке, помеш,енной перпендикулярно падаюш.ему пучку на некотором расстоянии за образцом она будет представлять собой почти плоское сечение распределения рассеивающей способности в обратном пространстве. [c.120]

Выше Б разд. 5.5 мы видели примеры для случая четырехмерных распределений в пространстве и во времени, когда интенсивность измеряется как функция углов рассеяния и частот. Таким образом, сечение обратного пространства на плоскости v =0, соответствующее чисто упругому рассеянию [см. (5.28) ] дает проекцию функции Паттерсона в начальный момент или усредненную во времени корреляционную функцию. Проекция четырехмерного распределения рассеивающей способности в обратном пространстве в направлении v, которая дается интегралом по v в уравнении (5.29), является фурье-преобразованием сечения функции Паттерсона Р(г, 0), которая является суммой мгновенных пространственных корреляций объекта. [c.125]

Из уравнения (6.15) видно, что для идеального конечного кристалла распределение рассеивающей способности представляет собой острые пики вблизи каждой точки обратной решетки, определяемой векторами а, Ь, с. Дифрагированный пучок с точно определенным направлением образуется при пересечении сферой Эвальда одного из таких острых пиков рассеивающей- способности. Из наших предыдущих построений сферы Эвальда следует геометрическое условие, которое должно при этом удовлетворяться [c.130]

ДЛЯ падающих плоских монохроматических волн интенсивность дифрагированного излучения будет соответствовать почти плоскому сечению распределения рассеивающей способности 5(и) с весом Если в условиях эксперимента расходимость падаю- [c.132]

Следовательно, для дефектной решетки функция Паттерсона состоит лишь из начального пика. Общее распределение рассеивающей способности изменяется тогда в (Л —п)УЫ раз по сравнению с распределением для кристалла без вакансий плюс [в соответствии с формулой (7.16)] [c.157]

Фиг. 7.2. Отклонение от усредненной структуры, соответствующая функция, Паттерсона и распределение рассеивающей способности для случая, подобного представленному на фиг. 7.1, когда вакансии встречаются парами.

Фиг. 7.4. Одномерные диаграммы, иллюстрирующие функцию Паттерсона и соответствующие распределения рассеивающей способности для атомных колебаний, не имеющих корреляции (модель Эйнштейна).

Общее распределение рассеивающей способности получается умножением этой функции на значения fo(u) . Следовательно, оно содержит набор прямых, расположенных на равных расстояниях друг от друга и параллельных направлению w, имеет резко ограниченные узлы на плоскости (uv) и все более диффузные максимумы по мере возрастания расстояния от этой плоскости. [c.165]

Фиг. 9.4. Образование дифракционной картины в сходящемся пучке, а — в реальном пространстве б — в обратном пространстве, где сфера Эвальда для каждого направления падения дает свое пересечение с распределением рассеивающей способности.

Для мозаичного кристалла мы можем считать, что за счет усреднения преобразований формы для отдельных кристаллов распределение рассеивающей способности вокруг всех точек обрат- [c.354]

В случае дифракции электронов интенсивности, приближающиеся к интенсивностям для кинематического рассеяния от монокристаллов, даются только очень тонкими кристаллическими слоями, поперечные размеры которых обычно гораздо больше их толщины. Наиболее частая причина разориентации отдельных частей кристалла — изгиб кристалла за счет вращения вокруг осей, лежащих приблизительно параллельно слою. Из-за малой толщины кристалла рассеивающая способность вокруг точек обратной решетки сильно вытянута в направлении, почти параллельном падающему пучку, что можно представить сверткой распределения рассеивающей способности с я / С ехр —где С — средняя толщина кристалла я w-— соответствующая координата обратного пространства. [c.355]

В качестве основы для вывода интенсивностей дифракционной картины в предположении, что условия кинематической дифракции выполняются, определим распределение рассеивающей способности в обратном пространстве с помощью фурье-преобразования функции Паттерсона. [c.375]

Температурный фактор. Вывод выражения для атомного фактора f был произведен нами для покоящегося атома со сферически симметричным распределением электронной плотности. В реальном кристалле атомы (а значит, и электроны вместе с атомами) совершают хаотические тепловые колебания около положений равновесия и между атомами имеет место определенный тип химической связи. Естественно, что тепловое движение оказывает влияние на значение рассеивающей способности атома, а следовательно, и на интенсивность рефлексов. [c.46]

Одним из требований к электролитам для хромирования является постоянство соотношения СгОз S0"4, которое не должно выходить за пределы 100—200. При нарушении этого соотношения изменяются выход по току, рассеивающая способность (неравномерное распределение тока) и структура осадков [c.206]

Как следует из уравнения (4), рассеивающая способность представляет выраженное в процентах отклонение от первичного распределения тока (по уравнению (3)] распределения металла на катоде при осаждении. [c.113]

При этих условиях рассеивающая способность отрицательная, т. е. толщина покрытия более неравномерна, чем первичное распределение тока. Такие случаи в гальванической практике также имеют место. [c.114]

Перед выполнением работы необходимо ознакомиться 1) с распределением электролитически осажденных покрытий на поверхности металла 2) с. факторами, влияющими на рассеивающую способность электролитов 3) с искусственными приемами, применяющимися для повышения рассеивающей способности электролитов 4) со способами, применяемыми для определения рассеивающей способности электролитов. [c.114]

Интегрируя это уравнение по известной кривой поляризации металла в данной среде (т. е. при известной зависимости г = /(ф)), можно найти (p = f(x) (распределение потенциала вдоль поверхности трубки), а следовательно, и выражение для расчета рассеивающей способности. [c.29]

При гальванических покрытиях имеют место случаи неравномерного распределения слоя по профилю резьбы. Степень неравномерности зависит от вида покрытия и рассеивающей способности ванны. На размеры покрытия резьбы, а следовательно, и на ее свинчиваемость влияют в основном толщина покрытия, рассеяние толщины покрытия в массе деталей, норма заглубления резьбы (Ь )> класс точности резьбы, степень неравномерности распределения слоя покрытия по профилю резьбы [116]. [c.507]

Способность электролита образовывать при электролизе более или менее равномерные по толщине покрытия называется его рассеивающей способностью. Она характеризует количественное распределение металла на поверхности предмета. [c.218]

Распределение металла покрытия по поверхности элемента конструкции, в свою очередь, зависит от многих свойств электролита и характеризуется рассеивающей способностью (P ). P определяет перераспределение металла и тока по поверхности электрода при нанесении покрытия. На P оказывают влияние форма электролизера, площадь и конфигурация электродов, их расположение — взаимное и относительно внутренней поверхности емкости (геометрические факторы), состав электролита и режим электролиза (электрохимические факторы), а также состояние поверхности катода (переходящие или случайные факторы). [c.187]

И. Начинов Г, И., Кудрявцев Н. Т Рассеивающая способность электролитов и равномерность распределения гальванических покры-тий//Электрохимия (Итоги науки и техники). Т. 15, М., 1979, с. 179— 226. [c.688]

Рассеивающая способность электролита зависит от степени равномерности распределения электрических силовых линий, идущих от анода к катоду. Эти силовые линии распределяются не равномерно в объеме электролита, а концентрируются на краях катода и выступающих его частях (рис. П1. 6.1). На тех участках катода, где силовых линий больше, плотность тока будет выше и, следовательно, толщина покрытия будет наибольшая. [c.182]

Обычная процедура, позволяющая упростить измерения непрерывных распределений рассеивающей способности, состоит в обеспечении такого рассеивающего объема, который был бы много меньше области, в пределах которой (и)1 изменяется значительно. В случае дифракции в хорошо закристаллизованных материалах, когда измеряется интегральная рассеивающая способность в острых максимумах, разделенных незначительным фоном, образец приготовляют в виде плоского диска. Для измерения используется хорошо сколлимированный почти монохроматический пучок и относительно широкий угол приема излучения детектором. При этом источник, детектор и точка касания плоскости образца лежат на общем (экваториальном) сечении сферы Эвальда. В процессе измерения диск проходит через острый максимум рассеивающей способности и полученная интенсивность интегрируется по времеци [c.123]

Таким образом, приходим к общему результату полное распределение рассеивающей способности является суммой определенных раздельно распределения рассеивающей способности для усредненной решетки и распределения отклонений от усредненной решетки. Поскольку (р(г)) — периодическая функция, то будет состоять только из острых пиков в узлах обратной решетки, а на дифракционной картине будут получаться резкле брэгговские отражения. Поскольку Ар — непериодическая функция, то Ар < Ар— также непериодическая функция и будет быстро убывать с увеличением расстояния от начала координат. Следовательно, будет представлять собой непрерывное распределение рассеивающей способности между узлами обратной решетки и, таким образом, будет давать на дифракционной картине диффузное рассеяние. Можно отметить, что для не зависящих от времени возмущений усредненной периодической структуры первые члены в выражениях (7.9) и (7.10) отвечают рассеянию от усредненной по времени структуры, а следовательно, чисто упругому рассеянию, в то время как второй член отвечает неупругому рассеянию. [c.153]

Фиг. 7.1. Одномерные диаграммы, а — распределение электронной плотности р (г) для структуры с произвольно распределенными вакансиями б —для периодической усредиенно структуры < р (г) ) — отклонение Др (г) от усргдненной структуры г —функция Паттерсона для этой функции отклонения д — распределение рассеивающей способности в обратном пространстве, обнаруживающее резкие пики иа фоне диффузного рассеяния.

Длинные прямые идентичные молекулы с периодической структурой вдоль своих осей укладываются в гексагональный плот-ноупакованный массив, однако корреляция между положением молекул вдоль их осей отсутствует. Каков будет вид функции Паттерсона для такого массива Какова форма распределения рассеивающей способности в обратном пространстве Каким образом будут влиять на эти функции в реальном и обратном пространствах нерегулярные изменения расстояний между молекулами, такие, что усредненное расположение, которое отвечало бы гексагональной упаковке, можно было бы получить не более чем для нескольких повторяющихся расстояний [c.169]

Для малого почти совершенного монокристалла распределение рассеиваюш,ей способности в обратном пространстве вокруг каждой точки обратной решетки дается фурье-преобразованием функции формы кристалла. Если кристалл изогнут или деформирован или если суш,ествуют много таких кристаллов, почти параллельных друг другу, с некоторьм распределением по ориентациям или постоянным решетки, то распределение в обратном пространстве будет преобразовываться неким характерным образом, как, например, показано на фиг. 16.1 для частного случая. Следовательно, богатую информацию о размерах кристаллов, разбросе ориентаций, а также разбросе размеров элементарной ячейки можно получить при детальном исследовании распределения рассеивающей способности в обратном пространстве. [c.362]

Радноннтерферометр 58, 60 Разброс длин воли ПО Размытия функция 39. 40 Распределение рассеивающей способности 118, 129 [c.423]

Рассеяние рентгеновских лучей атомом. Атомный фактор. Ясно, что интенсивность рентгеновских отражений должна быть про-лорциональна рассеивающей способности атома в кристаллической решетке. Рентгеновские лучи — электромагнитные волны — рассеиваются электронными оболочками атомов. Падающая на атом плоская монохроматическая волна возбуждает в каждом его элементе объема dv элементарную вторичную волну. Амплитуда этой рассеянной волны, естественно, пропорциональна рассеивающей способности данного элемента объема, которая, в свою очередь, пропорциональна /(r)dv, где U г) —выражаемая в электронах на функция распределения электронов вдоль радиуса г, от- считываемого от центра покоящегося атома со сферически симметричным распределением в нем электронной плотности, простирающимся от О до оо. Расчеты, проведенные в предположении о сферической симметрии атома, т. е. о сферической симметрии функции и (г), приводят к выражению для амплитуды суммарной волны, рассеиваемой атомом [c.42]

Толщина покрытия деталей с внутренними вырезами (особенно, с глубокими отверстиями) не получится равномерной в процессе электроосаждения из-за ограничения рассеивающей способности электролита (см. гл. 3). Процесс электроосаждения можно улучщить за счет дополнительных вспомогательных анодов и анодов нужной формы для выравнивания распределения плотности тока на поверхности обрабатываемого изделия. Равномерности покрытия внутренней части изделия, имеющего углубление с небольшим отверстием, можно достигнуть в процессе электроосаждения при использовании расположенных внутри отверстия анодов. В этих случаях наилучшее качество покрытия обеспечивается методом погружения в расплавленный металл, но утолщение покрытия в углублениях может изменить форму детали, а отверстия малого диаметра могут быть закрыты металлом, используемым для нанесения покрытия. При напылении металла на изделия неправильной формы покрытие не проникнет внутрь узких отверстий. [c.127]

Рассеивающая способность раствора для металлизации характеризует равномерность распределения металла на волокнах во всем объеме жгута, а крокицая способность—возможность осаждения по всей поверхности. Высокая рассеивающая и крою-206 [c.206]

Распределение массы электроосажденного металла по поверхности катода в основном зависит от густоты расположения силовых линий и наличия препятствий, задерживающих, пли наоборот, перехватываюпщх энергию силового потока. Разные ванны дают разные показатели рассеивающей способности. Следовательно, этот показатель находится в зависимости, прежде ьсего, от характеристики металла. [c.30]

Если детали частично не покрываются хромом, то нужно тщательно проверить контакты с катодными штангами, проверить наличие на анодах верекиси свинца и проверить плотность тока— она может оказаться заниженной. При плохой рассеивающей способности ванны, отдельные участки деталей также могут не покрываться хромом, так как распределение плотности тока на катоде слишком неравномерно. [c.62]

На данных измерений периода решетки практически не сказывается зонная стадия распада, и образование зон Г.—П. можно заметить лишь по эффектам диффузного рассеяния в ближайших окрестностях узлов обратной решетки матричного твердого раствора. Если неоднородности структуры, обусловленные образованием зон, носят регулярный характер (модуляции рассеивающей способности или модуляции межплоскостных расстояний), то диффузное рассеяние концентрируется, образуя сателлиты возле основных рефлексов, и легко выявляется даже при съемке рентгеновской картины поликристаллов [47, 48]. В остальных случаях выявление зон Г.—П. возможно либо при рентгеновском анализе монокристаллов или крупнокристаллических поликристаллов (из-за малости размера ОКР в поликристаллах н наложений эффектов диффузного рассеяния), либо методом электронной дифракции в просвечивающем электронном микроскопе, где область дифракции всегда ограничена малой частью монокристалла (метод микродифракции, см. раздел 2). В некоторых сплавах зоны Г.—ГГ. имеют координацию атомов, отличную от координации атомов в матричном твердом растворе (например, зоны Гинье—Престона— Багаряцкого в сплавах А1—Mg—Si), или упорядоченную структуру (например, зоны Г.—П.П или фаза в" в сплавах А1—Си). При этом эффекты рассеяния должны наблюдаться в точках ОР, соответствующих этой структуре. По характеру распределения диффузного рассеяния можно судить о форме зон и в простейших случаях (при действии только форм-фактора) оценивать их размеры. К-состояние связывается с процессами упорядочения и выде- [c.129]

Перед выполнением работы необходимо ознакомиться 1) с распределением электролитически осажденных покрытий на поверхности металла 2) с факторами, влияющими На рассеивающую и кроющую способность электролита 3) с искусственными приемами, применяющимися для повышения кроющей и рассеивающей способности электролитов 4) с зависимостью защитных свойств электроосажденных покрытий и срока их службы от рассеивающей способности электролитов 5) со способами, при- [c.117]

Дифракция рентгеновского излучения в монокристаллах рассматривается в литературе в приближении классической электродинамики как рассеяние электромагнитного излучения в среде с трехмерно-периодическим распределением электронной плотности. При такохМ подходе рассеивающая способность кристалла характеризуется поляризуемостью а (г) [7 ], которая может быть разложена в ряд Фурье по векторам Ь обратной решетки кристалла [c.306]

В. И. Данилов, А. В. Скрышевский, А. В. Романова [19, с. 207—216] применили метод интегрального анализа кривых интенсивности водных растворов NaOH и КОН. Этот метод позволяет определить количественные характеристики молекулярной структуры водных растворов. Указанные данные подтвердили качественные результаты, полученные в работе [19, с. 171—178]. Для водных растворов NaOH в первом приближении было принято (по оценке величины площадей под первыми максимумами кривых атомного распределения), что все рассеивающие центры (Na+, 0Н , НгО) обладают одинаковой рассеивающей способностью. Наиболее вероятное расстояние между соседними рассеивающими центрами Na+, 0Н , Н2О зависит от концентрации раствора. С повышением такой концентрации расстояние между рассеивающими центрами уменьшается, что [c.16]

Сравнение равномерности распределения осажденного металла но калибровочной кривой показала, что рассеивающая способность пирофосфатного электролита равна 0,37 см, в то время как максимальным показателем для щелочноцианистых электро- литов является 0,34 см. [c.105]

При электроосаждении весьма важным фактором является изменение толщины покрытий. Каждый употребляемый электролит обладает рассеивающей способностью, являющейся мерой способности раствора осаждать равномерное покрытие. Эта способность обычно меняется в зависимости от плотности катодного тока и уменьшается с повышением температуры и при перемешивании раствора. Если рассеивающая способность очень мала, то поверхности внутри углублений объекта могут остаться вообще без покрытия. Рассеивающая способность характеризуется теми электрохимическими факторами, которые определяют распределение эквипотенциальных линий. Этот термин используется только применительно к электрохимическому процессу и распространяется на все электроосаждаемые металлы. [c.154]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...