Кельвина конденсаторный метод

При освещении изолир. поверхности полупроводника вследствие разделения пар полем приэлектродного барьера и изменения заряда на поверхностных ловушках происходит изменение потенциала поверхности. Потенциал освещённой поверхности наз. плавающим, а его изменение—поверхностной эдс. Последняя может быть измерена конденсаторным методом с использованием либо вибрирующего электрода (метод Кельвина), либо прерывистого освещения, Измеряемое при этом изменение контактной разности потенциалов между поверхностью полупроводника и металлич. электродом включает кроме поверхностной эдс (основной вклад) также и эдс Дембера, возникающую в приповерхностной области, [c.342]

Имеется много методов определения КРП, однако наиболее приемлемым является конденсаторный метод Кельвина. После его усо вершенство вания Зисманом он широко применялся в исследованиях физико-химических процессов, протекающих на поверхности металлов. [c.77]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...