ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Электронное строение из "Наноструктурные материалы " Квантовые размерные эффекты начинают оказывать влияние на электронные свойства наноматериалов, когда размер области локализации свободных носителей заряда становится соизмеримым с длиной волны де Бройля Хд. [c.46] Здесь т — эффективная масса электронов Е — энергия носителей к — постоянная Планка. [c.46] Квантовые эффекты наблюдаются и при достижении размеров, соизмеримых с радиусом других квазичастиц экситонов, магнонов, поляронов и т.д., что может проявляться в оптических и магнитных свойствах вещества, связанных с возбуждением эк-ситонных или магнонных состояний вещества. [c.47] В отличие от металлов и полупроводников, в которых энергия межатомного взаимодействия велика и макроскопические кристаллы рассматриваются как отдельные молекулы, для молекулярных и ван-дер-ваальсовых кристаллов, энергия связи и взаимодействие между ближайшими соседями которых невелики, электронные свойства слабо зависят от размера частиц. [c.47] Для макроскопических кристаллов характерна квадратичная зависимость плотности электронных состояний N E) от энергии. Уменьшение областей локализации электронов вплоть до размера Хд В ОДНОМ, двух или трех направлениях, как это следует из решения уравнения Шредингера с соответствующими граничными условиями, сопровождается изменением характера зависимостей N E) = f E). [c.47] Таким образом, возможность модификации электронных свойств наноматериалов по сравнению с крупнокристаллическими полупроводниками очевидна. [c.49] Повышение доли атомов, расположенных на поверхностях раздела (см. рис. 2.3, б), с уменьшением размера зерен также может служить причиной изменения электронного строения. Так, в спектрах комбинационного рассеяния и в спектрах катодной люминесценции частиц наноалмаза кроме полос, характерных для алмазного монокристалла 5/) -конфигурации, зафиксированы также полосы, отвечающие -гибридному состоянию, характерному для графита (рис. 3.3). Правда, наличие графитовой составляющей в нанокристаллах алмаза может быть связано также с частичной графитизаций в процессе их синтеза и хранения. [c.49] Как отмечалось ранее, возможность активного влияния на электронное строение наноматериалов предполагалась Г. Глейте-ром в начале 1980-х гг. [c.49] Вернуться к основной статье