ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Совместимость молибдена с материалами ядерноэнергетических установок из "Молибден в ядерной энергетике " Работа выхода электронов в вакууме для вольфрамового покрытия с текстурой 100 равна 4,6 эВ, в то время как для вольфрамового покрытия с текстурой 110 она составляет 5— 5,3 эВ [172]. Отсюда видно, насколько важно получить вольфрамовые покрытия именно с текстурой ПО . Хорошая адгезия вольфрамового покрытия на молибденовом катоде достигается, когда покрытие осаждается на рекристаллизованной и травленой поверхности. На механически полированной поверхности адгезия покрытия недостаточна. С другой стороны, ориентированные покрытия вольфрама с текстурой 110 на молибденовом эмиттере получаются только на хорошо полированных поверхностях [8, 171]. В работах при создании реактора JTR [19] эти взаимоисключающие обстоятельства были устранены применением двуслойных вольфрамовых покрытий, полученных по так называемой дуплекс-технологии. Первый подслой вольфрама на рекристаллизованную травленую поверхность наносится восстановлением паров WFe водородом (фторидная технология), а второй (основной по толщине) слой вольфрама наносится восстановлением водородом паров W U (хлоридная технология). [c.118] В настоящее время разработан ряд методов нанесения тугоплавких вольфрамовых покрытий, которые аналогичны выше описанным методам нанесения молибденовых покрытий. При этом для получения покрытий вольфрамом, в частности на молибдене, можно использовать такую же аппаратуру. Ниже дается краткая характеристика наиболее перспективных методов нанесения покрытий вольфрама на молибден. [c.119] Как показано в работах [103, 160], скорость осаждения вольфрамового покрытия достаточно высока и толщину осаждаемого слоя легко можно регулировать временем осаждения. [c.120] При увеличении скорости осаждения вольфрама снижается относительное содержание примесей в осадке. [c.121] Механические свойства осадков фторидного вольфрама при температуре выше 1700° С сравнимы с прочностными характеристиками других сортов вольфрама. При температуре ниже 1700 С эти свойства приближаются к свойствам рекристалли-зованного металла. [c.121] Это означает, что при одинаковых параметрах процесса скорость осаждения вольфрама в этом случае будет в 3 раза ]меньше, чем в отсутствие кислорода. Кроме снижения скорости осаждения, присутствующий кислород вредно влияет на текстуру покрытия и его механические свойства. [c.123] В настоящее время наиболее высокие эмиссионные характеристики в ядерных ТЭП получают на монокристаллических молибденовых катодах с монокристаллическпм вольфрамовым покрытием. По этой причине получение качественных ориентированных покрытий из молибдена и вольфрама становится одной из важнейших проблем в технологии ядерных ТЭП. [c.123] При выгорании ядерного топлива происходит накопление продуктов деления, в том числе и газообразных, а также изменение структуры топлива за счет перекристаллизации. Оба эти явления могут приводить к распуханию материалов электрогенерирующего канала ТЭП, что сопровождается уменьщением размера и без того малого зазора между катодом и анодом ТЭП.. Это может привести к серьезному нарушению режима работы ТЭП и к его вынужденной остановке. Кроме того, создается опасность проникновения или диффузии топлива на внешнюю поверхность эмиттера и перенос вещества с катода на анод посредством транспортных реакций. Для повышения эффективности работы эмиттера применяются ориентированные молибденовые и особенно вольфрамовые покрытия (см. гл. V). Однако проникновение на наружную поверхность хотя бы небольших количеств топлива может привести к образованию слоя, который резко ухудшает адсорбционную способность эмиттирующей поверхности по отношению к цезию и тем самым сильно снижает работу выхода электронов. [c.127] Однако период времени, необходимый для достижения равновесия, можно определить только экспериментально. При этом следует иметь в виду, что он зависит от скорости протекания самой медленной стадии процесса взаимодействия, которой обычно является взаимная диффузия компонентов на границе оболочки с топливом и теплоносителем. [c.128] Вернуться к основной статье