ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Паразитное отражение из "Проектирование на ПЛИС архитектура, средства и методы " В технологиях прошлых лет паразитные эффекты ещё можно было рассматривать как явления, с ограниченной областью распространения, которые проявляются в непосредственной близости от анализируемой точки. Рассмотрим, для примера, три вентиля, как показано на Рис. Б.22. [c.360] Раньше в таком примере можно было допустить, что логический элемент g2 будет служить буфером между элементами gl и gЗ. Таким образом, сигнал с выхода будет подвергаться влиянию паразитных элементов, например, ёмкостей, связанных только с проводником м 1 и входом вентиля g2.a. [c.360] Эти предположения теряют свою истинность в сфере глубокого субмикрона. Возвращаясь к трём логическим элементам, показанным на Рис. Б.22, следует заметить, что теперь некоторая часть паразитного сигнала, связанная с проводником 2 и входом вентиля g3.a может отразиться и пройти через вентиль 2 и тем самым повлиять на выход /.у. Кроме того, если бы вентиль 2 представлял собой 2-входовую логическую функцию, например, исключающее ИЛИ, то величина этих паразитных явлений могла бы зависеть от состояния вентиля, то есть могла определяться логическим сигналом, установленном на другом входе. [c.360] Во время написания этой книги, отражённые паразитные сигналы слабо влияли на прохождение полезной информации. Однако этих эффектов следует бояться (очень бояться), так как существует вероятность того, что они будут проявлять себя с большей силой по мере того, как мы будем осваивать новые технологические процессы. [c.360] Большинство ИЗ эффектов, влияющих на задержку распространения сигнала, представленных в этой главе, существовали всегда, даже в мультимикронных технологиях, но многие из них по степени своей значимости на три-четыре порядка были меньше других, и при анализе не рассматривались. Когда геометрические размеры устройств перешагнули через барьер в 0.5 микрона и достигли 0.35 мкм, то некоторые из этих эффектов начали проявлять себя сильнее, и их значимость стала возрастать с каждой новой ступенькой в технологии изготовления микросхем и понижении напряжения питания. [c.360] К сожалению, развитие многих средств верификации отстаёт от кремниевых технологий. Если эти средства не будут расширены, чтобы учитывать все эффекты, возникающие в области глубокого субмикрона, то разработчики будут вынуждены использовать жесткие ограничения для того, чтобы быть уверенными, что их устройство функционирует должным образом. Следовательно, разработчики не смогут воспользоваться всеми потенциальными возможностями новых технологий, которые появятся в недалёком будущем. [c.360] Вернуться к основной статье