ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Ионная связь из "Основы материаловедения и технологии полупроводников " Однако для НС1 А настолько мало, что Ф и -фд, а Ф и -фв- Такую полярную ковалентную связь можно рассматривать как переходную между ковалентной и ионной связями. В предельном случае очень сильного различия в энергиях атомных орбиталей, участвующих в образовании связи, эти атомные орбитали уже не будут смешиваться, а образующаяся связь уже не будет ковалентной. [c.30] Ионные кристаллы, то есть те, в которых ионный тип связи является преобладающим, состоят из положительных и отрицательных ионов. Эти ионы образуют кристаллическую рещетку в основном за счет электростатического взаимодействия между ионами противоположного знака. [c.30] Рассмотрим для простоты простой ионный кристалл. Электронные оболочки ионов в таком кристалле похожи на электронные оболочки, характерные для атомов инертных газов, так как атомы, из которых образуется ионный кристалл, достраивают свою внешнюю валентную оболочку до полностью заполненной, присоединяя недостающие электроны (анионы) и отдавая их (катионы). Такой переход электронов оказывается энергетически выгодным (приводит к уменьшению полной энергии системы). Можно ожидать поэтому, что распределение электронной плотности для каждого иона в ионном кристалле будет приближенно обладать сферической симметрией, как у атомов инертных газов, хотя эта симметрия и может несколько нарушаться в области соприкосновения соседних ионов. Этот вывод подтверждается рентгеновскими данными. Так как электрическое поле иона имеет сферическую симметрию, то ионная связь не обладает направленностью. Кроме того, ионная связь не обладает и свойством насыщаемости. [c.30] Характерная величина энергии связи ионных кристаллов порядка 5-7 эВ на пару ионов. [c.31] Вернуться к основной статье