ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Основные группы полупроводниковых материалов из "Основы материаловедения и технологии полупроводников " Таким образом, различие в типах химической связи приводит к резкому различию энергетических и кристаллических структур материалов и их физических свойств. [c.11] Но кроме элементарных полупроводников насчитываются сотни и даже тысячи соединений, твердых растворов, обладающих полупроводниковыми свойствами. Поэтому было бы целесообразно классифицировать полупроводниковые материалы. [c.11] Все полупроводники могут быть разделены на кристаллические и некристаллические. [c.11] В настоящем курсе не будут рассматриваться особенности материаловедения и технологии некристаллических полупроводников, которые обычно выделяются в особый раздел физики полупроводников и о которых можно прочитать в специальной литературе [7,8]. Однако для полноты классификации дадим о них самые общие сведения. [c.11] Стекла — сильно переохлажденные жидкости с очень большой вязкостью. [c.11] Общей чертой некристаллических полупроводников является отсутствие дальнего порядка в расположении атомов, результатом которого оказываются существенные изменения в энергетическом спектре и низкая подвижность носителей заряда. [c.12] Исследования дифракции рентгеновских лучей, электронов и исследование дальней тонкой структуры рентгеновских спектров поглощения (ЕХАРЗ-спектроскопия) показывают, что ближайшее окружение и межатомные расстояния в некристаллических полупроводниках практически не отличаются от их кристаллических аналогов. Таким образом, можно сделать вывод, что полупроводниковые свойства материалов обусловлены ближним порядком (типом связи), а не дальним порядком (кристаллической структурой материалов). [c.12] В этом курсе будут рассматриваться в основном только элементарные и бинарные полупроводники, что позволит на простых примерах выявить общие закономерности, характерные для полупроводников, и более детально разобраться в физико-химических проблемах, которые возникают при получении этих материалов. Кроме того, следует отметить, что в электронной промышленности из-за сложностей получения чистых многокомпонентных материалов, как правило, применяются элементарные и бинарные полупроводники. [c.12] Среди бинарных полупроводников выделим наиболее изученные и широко используемые группы полупроводниковых соединений. В одну группу обычно включают соединения с одинаковой стехиометрической формулой, то есть образованные из элементов, расположенных в одних и тех же группах периодической системы элементов Д. И. Менделеева. [c.12] А и В — компоненты соединения, N — номер группы компонента А в периодической таблице Менделеева. Компоненты этих соединений расположены симметрично относительно IV группы в таблице Менделеева. [c.14] Соединения имеют гранецентрированную кубическую решетку и кристаллизуются в структурах типа алмаза или сфалерита (цинковой обманки), либо гексагональную решетку и кристаллизуются в структуре типа вюртцита. [c.14] Физические свойства соединений элементов VI группы в значительной мере определяются концентрацией собственных точечных дефектов структуры (см. гл. 3), проявляющих электрическую активность (центры рассеяния и рекомбинации). [c.14] Полупроводники А В находят широкое применение во многих областях техники и, прежде всего, в оптоэлектронных приборах. [c.14] Эти материалы имеют гранецентрированную кубическую решетку типа Na l или слабо искаженные структуры на ее основе. Они имеют узкую запрещенную зону и используются как источники и приемники ИК-излучения. Собственные точечные дефекты структуры в А В имеют низкую энергию ионизации и проявляют электрическую активность. [c.14] Халькогениды сурьмы и висмута используются для создания полупроводниковых термоэлектрических генераторов. [c.14] Во всех этих материалах присутствуют атомы с частично заполненными с1- и /-оболочками (атомы переходных металлов и редкоземельных элементов). Отличительной особенностью многих из них является возникновение магнитного упорядочения при низких температурах. [c.15] Вернуться к основной статье