ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Стеклянные конденсаторы из "Влияние облучения на материалы и элементы электронных схем " Вклад тепловых нейтронов в снижение сопротивления изоляции должен учитываться в электролитических конденсаторах, содержащих бор в электролите. Сопротивление изоляции с увеличением температуры снижается, поэтому любое повышение температуры, связанное с облучением, будет вносить вклад в снижение сопротивления изоляции, которое, в свою очередь, приводит к увеличению коэффициента рассеяния. Слюдяные, стеклянные и керамические конденсаторы обладают высоким сопротивлением изоляции и низким коэффициентом рассеяния, тогда как электролитические и некоторые бумажные конденсаторы имеют низкое сопротивление изоляции и высокий коэффициент рассеяния. [c.363] Конструкция стеклянного конденсатора представляет собой чередую-ш,иеся слои стеклянной ленты и материала электрода. Эти слои соединяются в монолитный блок с помош ью высокой температуры и давления. Стеклоэмалевые конденсаторы имеют такую же конструкцию — чередуюш иеся слои керамической глазури и серебра, сплавленные в монолитный блок. [c.363] Стеклянные и стекло-эмалевые конденсаторы применяют в схемах блокировки, связи, настройки и т. д., за исключением тех случаев, когда температурный коэффициент и диэлектрические потери на звуковых и радиочастотах являются критическими [28]. Эти конденсаторы показали самое высокое сопротивление по отношению к радиационным нарушениям. В опытах, которые проводили при интегральном потоке быстрых нейтронов 2,5-10 нейтрон1см и дозе у-облучения 6,1 эрг/г, емкость изменилась не более чем на 2%, а сопротивление изоляции снизилось на 2—3 порядка. [c.363] Остальные сведения о влиянии излучения па стеклянные конденсаторы приведены в табл. 7.6. Хотя условия облучения и времена выдержек в опытах были различными, все же некоторую пользу из приведенных сведений можно извлечь. [c.366] Импульсное облучение слабо или совсем не влияет на электрические характеристики конденсаторов. В работе [107] изложены результаты испытаний на реакторе Годива . Обнаружены переходные изменения в виде индуцированных токов утечки во время импульса излучения. [c.366] Вернуться к основной статье