ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Полупроводники Общие основы из "Современная теория твердого тела " Простое рассмотрение аналогичного типа для алмаза не проведено, хотя разделение отдельных уровней имеет место в зонной аппроксимации, как это будет показано ниже. Это разделение действительно существует у алмаза в случае настолько простого поля, как поле атома углерода поэтому можно ожидать, что оно обусловлено главным образом структурой кристалла, т. е. связано со своеобразной диффракцией волновых функций на решётке алмаза. [c.480] Расстояние между заполненными и незаполненными полосами (рис. 220) равко 7 eV, что соответствует наличию максимума поглощения около 1700 A. Возможно, однако, что между этими полосами лежат возбуждённые уровни. Расщепление основных уровней энергии настолько велико, что метод возмущения ( 96) не может быть использован для исследования этих возбуждённых уровней. Вместо этого их следует рассматривать более общим методом, например методом Ванниера. [c.482] Очевидно, что принцип Слэйтера-Паулинга не является вполне строгим, так как существует другая форма углерода — графит, в котором расположение атомов не является тетраэдрическим. [c.483] Принципы, использованные при этом вычислении, могут быть применены к другим случаям для теории полупроводников наиболее важен случай полярных кристаллов состава М Х , где М — атом металла, а X — электроотрицательный атом. В этих кристаллах могут возникать четыре независимых типа искажения идеального расположения а) в решётке имеются узлы, не занятые атомами металла б) имеются узлы, не занятые электроотрицательными атомами в) имеются внедрённые атомы металла г) имеются внедрённые электроотрицательные атомы. Эти четыре типа дефектов решётки могут появляться в любой из различных возможных комбинаций. В следующих параграфах мы рассмотрим несколько реальных случаев. [c.486] Вернуться к основной статье