ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Получение пленок вакуумным испарением из "Физико-химические основы производства радиоэлектронной аппаратуры " Получение тонких пленок испарением металлических и неметаллических материалов в высоком вакууме является перспективным методом, особенно важным для современной технологии йнтегральных пленочных микросхем. Метод вакуумного испарения позволяет наносить любые пленки — проводящие, резистивные, диэлектрические, полупроводниковые, магнитные, защитные — почти на любые подложки при однотипном, единообразном технологическом цикле. Последнее обстоятельство создает главную предпосылку для автоматизации процесса, без чего повторяемость требуемых результатов и рентабельность производства мало реальны. [c.38] Пленка может быть получена толщиной от 0,1 до 1 мк путем конденсации пара осаждаемого вещества на заданной подложке 18, 9, 12, 13]. [c.38] Пленки для интегральных микросхем наносят либо на пассивную подложку из фотоситалла или стекла, либо на активную подложку из полупроводникового материала. Это наиболее сложные случаи применения пленок, так как пленки используются в сложном сочетании между собой при обязательном требовании — обеспечить заданные физические свойства каждой пленки в довольно узких пределах допустимых отклонений. Пленки должны хорошо формироваться не только на поверхности подложки, но и друг на друге. Важно иметь возможность наносить пленки заданного рисунка с высокой точностью, при которой отклонения размеров часто не превышают нескольких десятков микрон. [c.38] Применение вакуумного осаждения обкладок на слюду позволяет получить высокую стабильность емкости слюдяных конденсаторов потому, что в этом случае фольга, проложенная между пластинками слюды, выполняет роль не обкладок, а токосъемников, частичное отслаивание которых не влияет на значение емкости. Обкладки же прочно осаждены на поверхность слюды и полностью подчиняются законам теплового расширения подложки. [c.39] То же самое можно сказать и о кварцевых резонаторах. [c.39] Пленки вакуумным испарением получают на установках, обеспечивающих разряжение не хуже 10 мм рт. ст. под колпаком (рис. 14 и 55). [c.40] Рассмотрим эти процессы. [c.40] Вернуться к основной статье