ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Устранение окисной пленки из "Физико-химические основы производства радиоэлектронной аппаратуры " Металлические основания всегда покрыты естественной окисной пленкой, которую необходимо удалить. [c.19] Чтобы обнажить структуру металла перед самым осаждением заданного покрытия, например непосредственно перед электролитическим осаждением, необходимо удалить очень тонкую окисную пленку. Эта операция называется декапированием и состоит в химическом растворении пленки в слабом 5%-ном растворе кислоты в течение 1 мин перед самым осаждением. [c.20] Устранение окисной пленки с поверхности полупроводниковых материалов (германия, кремния и т. д.) в производстве интегральных микросхем производят с помощью реакции восстановления при нагреве в атмосфере очень чистого водорода. [c.20] Устранение жировой пленки с поверхности неорганических диэлектриков — стекла, керамики, ситалла — производят прокаливанием их при 300—400° С. [c.20] Вернуться к основной статье