ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Формирование дифракционного рельефа с помотпью лазерного микроструктурирования алмазных пленок из "Методы компьютерной оптики Изд2 " Независимо от того, где происходит анизотропное травление — в газовой или жидкой фазе — его эффективность зависит от типа ионов и направления электрического поля, в котором находится травитель [63, 64]. [c.278] На стадии травления жестко испытывается адгезия, непроницаемость, уровень плоскостности и химическая инертность резиста. Стойкость резиста к травлению и его адгезия к подложке, возможно, являются наиболее важными параметрами процесса и в наибольшей степени определяют его успех. Применение резиста с высокой стойкостью к травлению гарантирует минимальное искажение изображения при переносе его в подложку. Практические пределы применимости жидкостного химического травления (ЖХТ) определяются его разрешением (1,5--2,0 мкм) и изменением размеров при травлении (0,2-0,5) мкм. [c.278] Контроль процесса травления требует знания его статических и динамических параметров. В отучае ЖХТ важнейшими параметрами являются толщина, пленки, время и температура обработки. Для получения воспроизводимых результатов необходимо четко фиксировать момент окончания травления, а также изменение химического состава реагента. [c.278] Простота метода ЖХТ позволила ему выдержать испытание временем и совершенствоваться в направлении уменьшения ширины линий и расстояний между ними. Совместное влияние внутренних эффектов близости при подтравливании и перетравливании ограничивают шаг линий, при ЖХТ металлических пленок, величиной в 6 мкм. Из этого следует, что при изготовлении многоуровневых ДОЭ для технологических лазеров с длиной волны менее 10 мкм использование ЖХТ может оказаться неэффективным. [c.278] Исходя из минимальных размеров зон ДОЭ и простоты метода, ЖХТ является приемлемым для изготовления элементов, работаюнщх в ИК диапазоне. Для диапазона меньших длин волн, в которых линейные размеры бинарного рельефа становятся менее одного микрона, возникает необходимость в использовании метода плазменного (сухого) травления. [c.278] Сухое травление o yine TBjmeT H в неизотермической низкотемпературной газо-разрядной 11,пазме низкого давления, в которой средняя энергия электронов значительно (в 10-100 раз) превышает энергию ионов, атомов, молекул и радикалов. [c.279] Для плазмохимического травления материал-Ов используются галогеносодержащие соединения в см,еси с кислородом, водородом, азотом или инертными газами. При удалении органических материалов применяется кислород. [c.279] Использование технологии плазменного травления при изготовлении микрорельефа. Плазменное травление позволяет изготовить профиль в любом материале с точностью ж качеством поверхности, недостижимыми для обычного жидкостного травления. Это обусловлено возможностями анизотропного режима травления материала, высокой управляемостью и стабильностью технологических процессов. Исходя из этого, представляется наиболее целесообразным использование плазмохиммческого травления для формирования Е шжрорельефа ДОЭ видимого и ближнего ИК-диапазонов. [c.279] Рассмотрим особенности и технологические приемы плазменного травления некоторых материалов, используемых при изготовлении микрорельефа ДОЭ. [c.279] Слои хрома на нодаюжжах из стекла при толщине 0,3 мкм обладают достаточной оптической плотностью. Типичная толщина фоторезиста, задубленного при температуре ЭО в течение 3 часов, составляет 1,5- 2 мкм. Скорость травления хрома в парах I4 + О2 (соотношение 10 1) имеет среднее значение 0,0003 мкм/с, а скорость травления задубленного резиста — 0,0002 мкм/с. Такой режим травления позволяет получать один металлизированный шаблон ДОЭ за 20-30 минут травления в плазме. [c.280] Правильно выбранные режимы травления резиста и хрома позволяют получать более качественные металлизированные шаблоны (можно сравнить рис. 4.6 — ме-тал.лжзированный шаблон и рис. 4.5 исходная маска на фотопленке). [c.280] Для изготовления такого элемента приемлемым оказался кремний (полированные пластины диаметром 100 мм), обладаюпщй высокой скоростью травления в плазме. Установка позволяет вести травление пластин кремния с диаметром до 150 мм, обеспечивая равномерность травлештя слоя по всей поверхности в пределах 5%. Исходный рисунок решетки получен с помощью электронного литографа в слоях резиста толщиной порадка одного микрона, нанесенного непосредственно на полированные пластины кремния. [c.280] Ана 1шз представленного фрагмента позволяет говорить о высокой воспроизводимости линейных размеров микрорельефа решетки. Отсутствие волнообразований на поверхности дна рельефа соответствует высокому качеству и правильно подобранным режимам травления. [c.281] На рис. 4.47 изображен режим микротравления подложки (вставка а), представлены режимы микрокопирования материала на подложку (вставка б) и волокно (вставка в). В настоящее время освоены режимы копирования слосв хрома, окиси индия [70], меди [71] и сверхпроводяпщх пленок 72] в виде структур микронных размеров, перенесенных на плоскую подложку или на искривленную поверхность оптического волокна [70], что демонстрирует уникальные возможности нового метода. [c.282] На рис. 4.49 представлено разделение падающей водны на прошедшую через границу раздела пластинка-воздух и отраженную от нее. [c.283] Вернуться к основной статье