ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Планарные поля из "Электронная и ионная оптика " Принимая эти соотношения во внимание, упростим (3.28) и (г/, г)=и + ,у - и у 2 - Г/ уЗ/е + ио у 24 +. [c.70] Аналогичное выражение можно получить для планарного поля, не зависящего от координаты у. [c.70] Соотношение (3.32) аналогично (3.21), и обозначение Оо сохраняется только для того, чтобы отделить этот случай от аксиально-симметричного. Величина Оо обозначает распределение потенциала в плоскости хг, что эквивалентно распределению потенциала вдоль оси г, так как потенциал не зависит от х. 1 1 представляет собой поперечную компоненту поля вдоль этой же оси (с отрицательным знаком), и в случае электростатического поля это не что иное, как отклоняющая компонента. Таким образом, произвольное планарное поле полностью определяется соответствующими аксиальными распределениями потенциала и отклоняющей компоненты поля. [c.71] Коэффициенты могут быть определены из уравнения Лапласа (1.20) в декартовых координатах при р = 0 и д и дх = 0. С учетом (3.32) и (3.33) легко получается выражение и у,г) в виде (3.31). [c.71] Планарно-симметричное поле полностью определяется распределением потенциала в плоскости симметрии. [c.72] Это означает, что только нечетные члены, содержащие у, остаются в соотношении (3.31). Поэтому (за исключением распределения потенциала в плоскости антисимметрии) в разложении остаются только отклоняющие компоненты. В случае электростатического поля это чисто отклоняющее распределение потенциала. Простейшим примером антисимметричного поля является плоский конденсатор, показанный на рис. 5 уг — плоскость антисимметрии). [c.72] Есть также второй особый случай планарного поля, когда потенциал не зависит от координаты г. В этом случае коэффициенты и тл W ъ (3.27) являются постоянными, все производные равны нулю ( = 0) и соотношение существенно упрощается. Важным приложением этого случая является планарное мульти-польное поле (разд. 3.1.1.3). [c.72] Вернуться к основной статье