ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Электрические свойства соединений металлов из "Окисление металлов и сплавов " Электрическая проводимость неорганических соединений изменяется в широком диапазоне от 10 до 10 0лг г , главным образом вследствие различной степени участия электронов в процессе переноса электричества. Однако знание абсолютной величины проводимости вещества само по себе еще далеко недостаточно нужно знать еще, как изменяется проводимость при изменении температуры и состава кроме того, требуются знания и о числах переноса ионов. [c.38] Характерная особенность полупроводников заключается в том, что у них температурный коэффициент в отличие от металлических проводников имеет положительную величину. [c.38] Электронная проводимость в подобных проводниках очень мала и в этом случае закон Фарадея соблюдается строго. [c.38] Как и обычно, между проводниками трех этих видов существуют всевозможные промежуточные типы, причем даже для одного п того же вещества механизм проводимости может стать иныл в пределах возможного изменения температуры и состава. [c.39] Механизм электропроводности в ионных кристаллах был предметом многократных И зобретательных теоретических исследований. Механизм чисто ионной проводимости выяснили главным образом Френкель и Шоттки, а проводимость полупроводников объяснил Вагнер. [c.39] Ронге и Вагнером [53], наряду с вакансиям анионов и катионов могут встретиться и междоузельные катионы. [c.41] Таким образом, есть три объяснения миграции ионов в сте-хпометрических соединениях две модели по Френкелю и одна по Шоттки. Все эти модели соответствуют экспериментальным данным. По-видимому, дефекты по Френкелю возникают в тех случаях, когда катионы по своил размерам сильно отличаются от анионов. В этих условиях остается большое междоузельное пространство. В тех же случаях, когда катионы и анионы имеют приблизительно равную величину, нужно ожидать возникновения дефектов Шоттки. [c.41] СТОЯНИЯ . Поэтому ионы меди могут участвовать в переносе электричества, занимая вакантные места в решетке [58]. [c.43] Так как электропроводность х пропорциональна концентрации электронных дырок с , она должна быть пропорциональна корню восьмой степени из давления кислорода. Фактически же показатель корня п = 6,3 7, как это было установлено экспериментально. Это соответствие следует признать удовлетворительным, если учесть упрощающие предположения. Оно не только подтверждает справедливость предложенной модели, но и ставит ее на здоровую термодинамическую основу. Именно этим объясняется успешность ее приложения к процессам окисления, о чем речь пойдет ниже. [c.43] Полупроводники, в которых ток создается движением электронных дырок, называются полупроводниками с недостатком электронов нли полупроводниками р-типа. [c.44] Когда известно кристаллографическое строение того или иного соединения, точное определение положения границ между фазами позволяет выявлять направление отклонения фактического состава от идеального (в сторону повыщенного или пониженного содержания неметалла). Так, Дэвис и Ричардсон [69] показали, что при 1500—1650° С величина л в формуле AleOx возрастает от 1,00 до. 1,045 с повыщением давления от И)- до 10-2 g.j-0 является убедительным доказательством того, что МпО, подобно FeO, является полупроводником р-типа, но отклонения от стехиометрии гораздо больше, чем в случае FeO. [c.45] Лафит и Бенар [70] определили рентгенографически положение границ между фазами в сульфиде никеля с гексагональной решеткой, находящегося при 480—780° С в равновесии с соседними сульфидами, оказавшимися сульфидами Nij,ooo S и Nio,943S. [c.45] По Вагнеру [57], избыточные катионы с эквивалентным им числом электронов размещаются в междоузлиях решетки, как ЭТО показано на рис. 9. В иных случаях ]1збыток. металла объясняется наличием незанятых мест в анионной решетке. Реальность данной модели можно установить теми же методами, что и в случае полупроводников с недостатком электронов. [c.47] Таким образом, наблюдающееся уменьшение электронной проводимости ло мере повыщения давления отрицательного компонента служит признаком избыточности металла в полупроводнике, схема которого была изображена на рис. 9. [c.47] Вернуться к основной статье