ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Кинетика процесса роста из "Физико-химическая кристаллография " Расчет наиболее вероятных стадий осаждения частиц при росте кристалла недостаточен, чтобы полностью объяснить дальнейший рост жизнеспособного зародыша. Возникает вопрос, каким образом при поступлении атомов из паровой фазы осуществляется повторяющаяся стадия (осаждение на полукристаллическом положении), которая по сравнению с другими стадиями осаждения появляется гораздо чаще. Ответ на этот вопрос дает учет процесса поверхностной диффузии (поверхностной миграции), называемой также диффузией Фольмера (см. И и 14.3). Этим процессом обеспечивается высокая подвижность попадающих на поверхность кристалла атомов или молекул благодаря этому становится возможным переход частиц на энергетически выгодные позиции. Экспериментальные доказательства поверхностной диффузии приводятся в главе 14.3, в настоящей главе рассматривается только ее значение для роста кристаллов. [c.316] ионы или молекулы, попадающие на кристалл из паровой фазы или оседают на поверхности, или отражаются от нее. Для частиц, остающихся на поверхности, имеются различные возможности 1) пробыв определенное время на поверхности, они покидают ее и вновь поступают в паровое пространство 2) частицы удерживаются непосредственно на месте встречи с поверхностью 3) путем диффузии частицы перемещаются на поверхности кристалла. В реальных условиях роста нужно обязательно считаться со всеми тремя возможностями и, если удастся, оценивать частоту реализации этих возможностей (особенно двух последних). Обоснования такого подхода были даны Фольмером. [c.316] Термодинамический расчет дает для гомеополярных кристаллов величину 2 порядка 10 . Отсюда следует, что число частиц, попавщих на место роста путем диффузии в г раз (т.е. примерно в Ю раз) больще, чем число частиц, оседающих из пара и остающихся прямо на месте роста. Таким образом, можно сделать заключение, что процесс роста путем конденсации атомов или молекул фактически происходит благодаря упорядочивающей и выравнивающей роли поверхностной диффузии. [c.317] При росте кристаллов из расплава и раствора нужно считаться с принципиально аналогичными механизмами осаждения. [c.317] Энергетическое состояние атомов, оседающих на поверхности кристалла, можно наглядно показать с помощью одномерного потенциального поля самого верхнего атомного слоя, которое относится только к определенному кристаллографическому направлению (рис. 13.16). Для построения профиля потенциального поля откладывают потенциальную энергию атома самой верхней плоскости решетки, как функцию расстояния. Соответственно периодической структуре одномерной решетки кристалла получают также периодическое изменение потенциала атомного ряда. [c.317] Вернуться к основной статье