ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Гетерополярные кристаллы из "Физико-химическая кристаллография " В разделе 5.2 для различных положений частиц решетки была рассчитана работа растворения кристалла. В случае роста кристалла рассматриваем энергетические этапы при различных вариантах осаждения с обратным знаком (по сравнению с растворением), так как при этом энергия высвобождается. [c.310] На рис. 13.14 отмечены на трехмерной модели различные места осаждения ионов, а в табл. [c.311] Рост ионных кристаллов начинается от углов и завершается к середине грани кристалла. При сильных пересыщениях часто наблюдается явление, когда новые ионные плоскости начинаются еще до того, как завершится заполнение уже начатых плоскостей. Чем больше пересыщение, тем вероятнее такой процесс. В этом случае получают фигуры роста, которые имеют вид лестницы со ступеньками, ведущими к центру грани. Возникают так называемые полые пирамиды. [c.312] Из табл.13.2 следует, что для начала застройки новой ионной плоскости нужно преодолеть значительный энергетический барьер. Преодоление этого энергетического барьера происходит путем образования двухмерных зародышей на грани куба, которые формируются вследствие статистических флуктуаций. Тогда такой зародыш снова обладает достаточным количеством способных к росту точек. Эти двухмерные зародыши будут возникать на поверхности не беспорядочно, а преимущественно на углах и ребрах. [c.312] Таким образом, получается, что грань 100 является основной гранью роста ионных кристаллов со структурой Na i. [c.312] Аналогичные рассуждения можно провести и для других типов решеток, например для решетки s l (см. [c.312] Вернуться к основной статье