ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Рассеяние электронов на примесях в кристаллах из "Статистическая механика неравновесных процессов Т.1 " Это имеет место для газов легких частиц, таких как Н2 и Не. [c.274] В дальнейшем для краткости мы не будем выписывать спиновые индексы операторов рождения и уничтожения. [c.275] Перейдем теперь к выводу кинетического уравнения для электронно-примесной системы. Прежде всего нам нужно ввести одночастичную матрицу плотности. [c.276] Преимущество уравнения (4.2.71) заключается в том, что его легко записать для матрицы плотности в любом представлении. [c.278] Это соотношение легко проверить, вспомнив определение (4.2.72) оператора iL -. [c.279] Если заменить L(Ri) на оператор свободного движения L , то мы вернемся к борнов-скому приближению. [c.280] Здесь индекс pp указывает на то, что вычисляется диагональный элемент матрицы. В дальнейшем мы не будем явно указывать зависимость операторов от Ri, обозначая их просто и и т.д. [c.280] В заключении напомним, что кинетическое уравнение (4.2.99) было выведено в первом приближении по параметру где Гд — радиус взаимодействия между электроном и примесным атомом. Решая шаг за шагом цепочку уравнений для матриц плотности (Ri,R2,. .., R ), можно последовательно учесть процессы столкновения электрона с группой из двух, трех и т. д. примесных атомов. Как и в классической кинетической теории, некоторые последовательности коррелированных столкновений могут дать расходящийся вклад. Поэтому для правильного описания эффектов затухания на средней длине свободного пробега необходимо выполнить частичное суммирование групповых разложений. Мы не будем, однако, обсуждать эту специальную проблему. [c.282] Вернуться к основной статье