ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Энтропия смешения из "Лекции по физике твердого тела Принципы строения, реальная структура, фазовые превращения " Каждая дислокация, помимо сверхупругих напряжений своем ядре, создает неоднородное поле упругих напряжений. Выше плоскости скольжения в области, где расположена полуплоскость /(+, возникают напряжения сжатия, а при пересечении плоскости скольжения напряжения меняют знак и там, где-отсутствует полуплоскость, возникают напряжения растяжения. Эти упругие напряжения затухают по мере удаления от оси дислокации. При сближении дислокаций одинакового знака поля упругих напряжений складываются и взаимная упругая энергия дислокаций возрастает. При сближении дислокаций разного знака их взаимная упругая энергия убывает. Следовательно, дислокации взаимодействуют по закону одноименные дислокации отталкиваются, а разноименные притягиваются. Дислокации разного знака, оси которых расположены в одной плоскости скольжения, аннигилируют, а если оси дислокаций расположены в разных плоскостях скольжения, то они сближаются и при равновесии располагаются друг против друга. В результате в кристалле может возникнуть вторичная структура — сетка дислокаций. [c.135] При распространении площади действия напряжения сдвига ступенька сдвига будет увеличивать св ю длину, что означает передвижение оси дислокации С параллельно самой себе и перпендикулярно приложенному напряжению и вектору Бюртерса. [c.136] Ось винтовой дислокации лежит в плоскости скольжения. В принципе плоскостью скольжения может быть любая плоскость, проходящая через ось дислокации. [c.136] Для осуществления пластического сдвига y = 1° через кристалл толщиной в 1 см должно пройти около 10 дислокаций. [c.137] Упругая энергия винтовой дислокации Wb равна работе перемещения плоскостей разреза под действием напряжения сдвига. Элементарная площадка в плоскости разреза ds= Ldr. [c.139] Под влиянием линейного натяжения криволинейная дислокация стремится сократить свою длину. [c.140] Термоупругое рассеяние обусловлено тем, что при упругих адиабатических сжатиях и расширениях температура тела соответственно повышается или понижается на АГ, Возникающие температурные градиенты выравнивают за счет теплопроводности температуру. При быстром движении дислокации по Одну сторону плоскости скольжения возникают области адиабатического сжатия, а по другую — расширения, что приводит к термоупругому рассеянию. [c.144] Столкновения с фононами тепловые упругие волны (фоно-ны), пересекающие плоскость скольжения, создают в ней периодически меняющиеся касательные напряжения, которые вызывают колебания дислокации результирующая сила падающих со всех сторон упругих волн (фононов) на покоящуюся дислокацию равна нулю. При движении дислокации ее ведущая сторона сталкивается с большим числом фононов, чем ведомая. Появляется результирующая сила, препятствующая движению дислокации и тормозящая ее. Преодоление этой силы требует дополнительного расхода энергии, идущей на возбуждение колебаний решетки. [c.145] Производить симметрию грани (в карбиде кремния по нормали к базисной грани проходит шее-герная ось симметрии). [c.150] Как показывает расчет, для объяснения наблюдаемых больших скоростей роста кристаллов образование зародышей на идеальной грани требует пересыщения около 50%. [c.151] Гранях роста кристаллов не случайно. Спираль представляет бесконечную неоканчивающуюся ступень роста, к которой прочно присоединяются частицы, адсорбированные на растущей грани. [c.151] При отжиге дислокации стремятся выстроиться в стенки ipH . 7.27,6), разделяющие блоки, что связано с понижением общей упругой энергии. Этот процесс называется полигониза-цией и приводит к образованию мозаичности кристаллов (гл. 2, 2). [c.152] Рассмотрим систему, состоящую из атомов нескольких элементов А, В, С, взаимодействующих друг с другом. Произвольно разобьем систему на малые области, в пределах которых имеют, смысл такие понятия, как температура, давление, концентрация. Если отдельные области не различак тся па составу и свойствам, то система называется физически однородной, Физически однородные системы представляют собойг частный сЛучай гомогенных систем. В гомогенной системе свойства изменяются непрерывно при переходе от одной точки системы к другой. [c.155] Гетерогенными называются системы, состоящие из нескольких гомогенных областей, разделенных границей, на которой Имеет место разрыв непрерывности в изменении свойств. [c.155] Изучение фазового состава, фазового равновесия и фазовых превращений является актуальной задачей, поскольку фазовый состав определяет физико-химические свойства этих систем. Часто важно бывает знать, возможно ли протекание какого-либо процесса и его конечный результат. Знание условий термодинамического равновесия позволяет предсказать какие изменения возможны в данной системе. [c.155] Необходимым условием равновесия является отсутствие любых изменений системы механических, физических, химических, проявляющихся в изменении со временем температуры, давления, объема, концентрации и т. д. Такое состояние называется стационарным. Если в системе не только все парамет- ры постоянны во времени, но и нет стационарных потоков за счет действия внешних источников, то такое состояние называется равновесным. [c.156] Таким образом, для независимых переменных S и V внутренняя энергия и является характеристической функцией, или термодинамическим потенциалом. [c.156] Вернуться к основной статье