ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Диффузионный механизм из "Фоторефрактивные кристаллы в когерентной оптике " Здесь kg — постоянная Больцмана Т — температура я х) — концентрация электронов в точке х dn x)jdx — градиент концентрации. Поле решетки х), которое является реальным электрическим полем, направлено навстречу стационарный режим наступает тогда, когда Е с (л )] = 1 д(л ) . Поскольку х) обусловлено лишь термодинамической природой явления, то оно, а следовательно, и поле решетки Е (х) в стационарном режиме не зависят от таких характеристик кристалла, как диэлектрическая проницаемость или диффузионная длина. [c.11] В дальнейшем обычно диффузионным полем будем называть амплитуду Е . Для Т = 300 К и kJ2n 10 —10 мм величина составляет 0.1ч-1 кВ/см. [c.11] При этом фотовозбужденные электроны движутся в одном направлении и в среднем проходят некоторое характерное расстояние Lq ДО момента захвата на ловушки, Lq называется дрейфовой длиной переноса (рис. 1.1, б). [c.11] Как идно изч( 1.12), в данном случае поле решетки практически совпадает по фазе (несмещенная решетка) с решеткой записывающего света, и его амплитуда не зависит от k , но в то же время зависит от длины дрейфа. В другом предельном случае (k 1) решетка отрицательного заряда фактически не формируется, так как электроны размываются равномерно по кристаллу. Остается лишь решетка (х) = р ( os + 1), которая, согласно (1.5), дает решетку поля, смещенную на я/2 относительно решетки света с амплитудой, пропорциональной 1/fe . [c.12] Поскольку о и Eq могут быть значительно больше, чем то и эффективность дрейфового механизма будет существенно выше. [c.12] Дрейфовый механизм допускает большое разнообразие условий записи. Внешнее поле может прикладываться перпендикулярно к штрихам решетки или в другом направлении, быть постоянным или переменным, контакты у кристалла с электродами могут иметь омический или барьерный характер, кристалл может быть отделен от электродов диэлектриком и т. д. Все эти факторы влияют на эффективность записи. [c.12] Дрейфовый механизм может иметь место не только в присутствии внешнего электрического поля, но также за счет упоминавшихся %ыше фотовольтаических эффектов. [c.13] С формальной точки зрения движение электронов за счет фото-вольтаической ЭДС при т 1 можно описывать как движение электронов в некотором эффективном внешнем поле, и поэтому дрейфовый механизм записи информации за счет фотовольтаических эффектов практически эквивалентен процессу во внешнем поле. [c.13] Вернуться к основной статье