Модель жвстрсих зон для электронной структуры системы Си1- Теу вблизи состава г 1 3. Перекрытие между валентной зоной и зоной проводимости увеличивается с температурой, а энергия Ферми уменьшается с увеличением у, как показано на рисунке.