ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Температурные зависимости внутреннего трения наноструктурной Си, измеренные при последовательных циклах нагрева 1, 2, 3, 4 — при нагреве от 4 К до 400, 500, 600 и 650 К соответственно [Выходные данные]