Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама
а | б | в | г | д | е | ж | з | и | й | к | л | м | н | о | п | р | с | т | у | ф | х | ц | ч | ш | щ | ы | ь | э | ю | я

   |<      <<      >>     > |    


К принципу возможного изменения напряжений

К принципу действия магнитных систем демпфирования

К принципу напряжений.

К принципу работы ИСН

К принципу работы транзисторного двухтактного преобразователя рис. 5.12

к принципу Сен-Венана

К принципу Сен-Венана — независимость отзакона распределения внешней нагрузки распределения напряжений в частях бруса, удаленных от места прилол ения нагрузки.

К принципу создания иллюзии предмета с помощью композиционной голограммы. При реконструкции голограммы лучом R каждый из ее участков dHi, dHi, . Поскольку положение участков голограммы с записанными на них ракурсами точно совпадает с положением точек, нз которых этн ракурсы регистрировались, то наблюдатель h при перемещении относительно поверхности композиционной голограммы регистрирует смену ракурсов, точно соответствующую смене ракурсов при перемещении точки зрения относительно реального предмета. В результате у наблюдателя создается впечатление, что он осматривает реальный предмет

К принципу Ферма

К принципу Ферма

К принципу Ферма

К притирке детален подвижных конусных соединений с широкой фаской

К причинам сохранения конфигурации восстаиоаленного изображения при п.зменении свойств фотоматериала, иа котором записана голограмма. Восстановленное голограммой изображение О формируется из лучей Lb претерпевших дифракцию первого порядка на решетчатой структуре голограммы. Форма волнового фронта излучения, дифрагировавшего на решетке, определяется только разностью хода лучей, принадлежаш их раз дичным штрихам, т. е. зависит только от шага штрихов и формы их образующей. Свойства фотоматериала определяют только структуру самого штриха, от которой зависит лишь распределение интенсивности света между порядками дифракции. Наиболее наглядно этот процесс можно представить на примере дифракционной решетки с постоянным шагом d . Углы дифракции излучения на такой решетке определяются только шагом и длиной волны излучения, а распределение интенсивности между порядками 1, h, l-i — профилем штриха

К про- В, Бесконечно малые канонические преобразо-

К проблеме устойчивости однофазного твердого раствора по отношению к малым флуктуациям состава

К проверке амортизирующих ка-че М в упаковочных материалов.

К проверке местной устойчивости стенки балки

К проверке невозможности встречи клапана с поршнем

К проверке пространственного положения подшипниковых щитов и корпуса воздуходувки дизеля 2Д100 индикаторным приспособлением

К проверке равновесия узлов рамы

К проверке соосности валов приспособлением со скобами

К проверке соосности валов приспособлением со скобами

К проверке соотношения

К проверке удовлетворения эпюрой изгибающих моментов условиям совместности деформаций по жестким контурам а первый вариант б второй вариант в третий вариант. 1 — первый контур 2 — второй контур.

К проверке эпюры изгибающих моментов в жестком замкнутом контуре

К проверочной работе, варианты 17—24

К проверочной работе, варианты 1—8

К проверочной работе, варианты 25—32

К проверочной работе, варианты 9—16

К программному управлению металлорежущих станков

К продорожке изоляционных пластин между медными пластинами коллектора якоря тягового электродвигателя

К проектиро- Рнс. 25.18. К проектированию схемы ме-

К проектированию кинематическо схемы центроидного механизма а схема механизма б графика угловых скоростей звеньев 2 и 3.

К проектированию кривошипно-коромыслового механизма по заданному коэффициенту изменения скорости хода

К проектированию кривошипно-коромыслового механизма по заданному углу размаха коромысла

К проектированию кривошипно-коромыслового механизма по заданным мертвым положениям коромысла и углу передачи

К проектированию кривошипно-ползунного механизма по заданному ходу ползуна и углу передачи

К проектированию лопатки минимального веса

К проектированию стержня из эпоксидного композиционного материала Р 63 тс 2 389 см

К проектированию схекгы механизма шарнирного четырехзвенника по двум заданным положениям шатуна и дополнительно заданным углам между положениями кривошипа и коромысла.

К проектированию схемы кривошипно-ползунного ме ханизма по двум заданным положениям шатуна.

К проектированию схемы кривошипно-ползунного механизма по двум заданным положениям шатуна.

К проектированию схемы кулисного механизма по заданному коэффициенту изменения средней скорости ведомого звена.

К проектированию схемы ме ханизма шарнирного четырехзвенника по заданным положениям кривошипа и коромысла.

К проектированию схемы ме-

К проектированию схемы механизма шар-ханизма шарнирного четырехзвенника нирного четырехзвенника по трем заданным положе по трем заданным положениям коро- ниям кривошипа и коромысла,

К проектированию схемы механизма шарнирного четырехзвенника по двум заданным положениям шатуна и дополнительно заданным углам между положениями кривошипа и коромысла.

К проектированию схемы механизма шарнирного четырехзвенника по двум заданным положениям шатуна.

К проектированию схемы механизма шарнирного четырехзвенника по двум заданным положениям шатуна.

К проектированию схемы механизма шарнирного четырехзвенника по трем заданным положениям кривошипа и коромысла.



   |<      <<      >>     > |    

ПОИСК



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте