ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Наличие различных дефектов в кристаллической решетке алмаза с суммарной концентрацией до 10 см“ приводит к появлению дополнительных уровней поглощения и полос фотоионизации, одна из которых, связанная преимущественно с дислокациями и лежащая в области 2,0-2,3 эВ, совпадает с линиями излучения ЛПМ. Необходимо отметить, что из всех форм углерода только алмаз является диэлектриком. Любое структурное изменение в нем приводит к появлению проводимости. При сравнении с другими способами обработки прецизионная резка графита излучением ЛПМ признана лучшей. Результаты термического воздействия на алмаз отражены в табл. 9.4. Пороговое значение плотности мощности лазерного излучения, вызывающее разрушение материала, определяется его природой и концентрацией дефектов. Эти пороговые значения для поликристаллического алмаза при воздействии наносекундных импульсов различных лазеров приведены в табл. 9.5. [Выходные данные]