ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Свободному растеканию носителей, накопленных на границе полупроводник— жидкий кристалл, препятствует потенциальный рельеф, создаваемый, например, неподвижными зарядами, всегда существующими в диэлектрических слоях (таким диэлектрическим слоем между полупроводником и ЖиДким кристаллом в ПВМС является, например, диэлектрическое зеркало). В этом случае пространственное распределение потенциального рельефа носит случайный характер. В компенсированном арсениде галлия вариации поверхностного потенциала мог)т вызываться также флуктуациями ншрины запрещенной зоны из-за неоднородного распределения компенсирующей примеси (уровень таких флуктуаций может доходить до 200 мВ), Но потенциальный рельеф может быть сформирован и специально—например, на поверхности полупроводника может быть создана регулярная решетка прорезанием (или травлением) полупроводника на определенную глубину [Выходные данные]