Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

[<< Стр.]    [Стр. >>]

Иные условия складываются для основных носителей. При переходе из одной области полупроводника в другую они должны преодолевать потенциальный барьер высотой qVn, сформировавшийся в р—/г-переходе. Для этого они должны обладать кинетической энергией движения вдоль оси ж, не меньшей Согласно (8.14) к р— «-переходу подходят следующие потоки основных носителей;

[<< Стр.]    [Стр. >>]

ПОИСК



Иные условия складываются для основных носителей. При переходе из одной области полупроводника в другую они должны преодолевать потенциальный барьер высотой qVn, сформировавшийся в р—/г-переходе. Для этого они должны обладать кинетической энергией движения вдоль оси ж, не меньшей Согласно (8.14) к р— «-переходу подходят следующие потоки основных носителей;

[Выходные данные]

© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте