ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы На рис. 6.10 представлены типичные потенциодинамические анодные поляризационные кривые, полученные при 303 К для наноструктурного и отожженного образцов Си. На поляризационных кривых видны два активно-пассивных перехода. В то же время известно, что для Си высокой чистоты, погруженной в серную кислоту или щелочной раствор, обычно характерна только пассивная область, связанная с формированием на поверхности образца пленки оксида СизО. Существование вторичного активнопассивного перехода от 100 к 300 мВ и позитивной области около 300 мВ для исследованной наноструктурной Си не может быть объяснено наличием примесей, поскольку для Си чистотой 99,9999 % присуще подобное поляризационное поведение (рис. б.Юб). Две стадии пассивации предположительно могут быть связаны с двумя этапами формирования защитной пленки [405, 406]. Устойчивый анодный ток формируется при вторичной пассивации. Вместе с пассивационным потенциалом плотность данного тока является численной характеристикой общей коррозии. В целом активнопассивное поведение наноструктурной (рис. 6.10а, кривая «состояние 1») и обычной (рис. 6.10а, кривая «состояние 4») Си подобны. Тем не менее можно отметить некоторые различия. [Выходные данные]