Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

[<< Стр.]    [Стр. >>]

где V — напряжение источника питания. Заметим, что из-за небольшого падения напряжения на внутреннем сопротивлении диода величина hvfeV несколько меньше единицы. Будем называть это электрическим КПД. Таким образом, дифференциальный КПД оказывается равным произведению внутренней квантовой эффективности на электрический КПД и на эффективность связи. Если оба торца имеют одинаковые коэффициенты отражения R, а а — коэффициент поглощения в полупроводнике благодаря внутренним потерям, то

[<< Стр.]    [Стр. >>]

ПОИСК



где V — напряжение источника питания. Заметим, что из-за небольшого падения напряжения на внутреннем сопротивлении диода величина hvfeV несколько меньше единицы. Будем называть это электрическим КПД. Таким образом, дифференциальный КПД оказывается равным произведению внутренней квантовой эффективности на электрический КПД и на эффективность связи. Если оба торца имеют одинаковые коэффициенты отражения R, а а — коэффициент поглощения в полупроводнике благодаря внутренним потерям, то

[Выходные данные]

© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте