ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы полностью заполненной валентной зоны за счет света переходят внутри зоны с одного уровня на другой, происходит поглощение света свободными носителями заряда. Это поглощение пропорционально концентрации свободных носителей заряда, квадрату длины волны падающего света и обратно пропорционально подвижности носителей. Если энергетические зоны у полупроводника сложные, то поглощение свободными носителями заряда, например дырками в германии, может быть вызвано также и переходами дырок между отдельными подзонами сложной валентной зоны. Эти переходы происходят с соблюдением закона сохранения волнового вектора. В спектрах поглощения они проявляются в виде максимумов (рис. 12.4). [Выходные данные]